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砷有效的陷阱中心位置（）

砷有效的陷阱中心位置（）
A.靠近禁带中央
B.靠近费米能级
C.远离费米能级
D.远离禁带中央
正确答案：B

标签：半导体物理学费米能级

上一条：杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。

下一条：一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。