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在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）

在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）
A.在禁带中线处
B.靠近导带底
C.靠近价带顶
D.以上都不是
正确答案：B

标签：半导体物理学能级中线

上一条：在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。

下一条：当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。