联大学堂《半导体物理学（周口师范学院）》题库及答案

联大学堂《半导体物理学（周口师范学院）》题库及答案
1、相对于Si材料，GaAs具有哪些缺点？
正确答案：资源稀缺|价格昂贵|污染环境|机械强度|制备困难
2、影响迁移率的主要因素有哪些？
正确答案：散射因素|电荷量|平均自由时间|有效质量
3、为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作？
正确答案：寿命很短|发生复合|光的形式|效率高
4、非晶半导体中载流子的输运机制是怎样的？
正确答案：弥散输运|多次陷落机制|跳跃机制
5、阐述GaAs的应用？
正确答案：无线通讯|功率放大器
6、阐述深能级杂质的特点。
正确答案：不容易电离|多重能级|复合中心作用
7、热平衡时载流子浓度由哪些因素决定？
正确答案：能量状态密度|电子分布函数
8、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶体结构有哪些？
正确答案：金刚石结构|闪锌矿结构|纤锌矿结构
9、影响固溶体形成的因素有哪些？
正确答案：质点尺寸|晶体结构|电价因素|电负性
10、半导体中载流子的散射机构有哪几种？
正确答案：电离杂质散射|晶格散射|其他散射
11、为什么器件正常工作大多在饱和电离区？
正确答案：温度太低或太高|浓度|温度无关
12、元素半导体中的缺陷、原子空位起什么作用？间隙起什么作用？
正确答案：受主作用|施主作用
13、影响表面复合的因素有哪些？
正确答案：表面粗糙度|表面积与总体积的比例|表面清洁度|化学氛围
14、为什么在半导体中空穴迁移率一般比电子迁移率低？
正确答案：单位电场强度下|平均漂移速度|比电子困难
15、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的基本性质。
正确答案：带隙较大|带结构|电子迁移率高|温度变化
16、为什么在半导体掺杂中，杂质会产生多个能级？
正确答案：电子壳层结构|杂质原子的大小|半导体晶格中的位置
17、简述肖特基缺陷和弗伦克尔缺陷的不同之处。
正确答案：弗伦克尔缺陷是空位和间隙质点成对缺陷，晶体体积不发生改变；肖特基缺陷：正离子和负离子空位是成比例出现，伴随体积的增加。
18、本征半导体的特征是什么？
正确答案：电子浓度等于空穴浓度，载流子少，导电性差，温度稳定性差。
19、在半导体中掺入杂质的作用是什么？
正确答案：微量杂质|束缚状态|杂质能级|导电性|导电类型
20、阐述影响本征半导体载流子浓度的主要因素。
正确答案：能带结构|温度
21、能级杂质在半导体复合中所起的作用。
正确答案：施主或受主|复合中心或缺陷
22、什么是施主杂质？
正确答案：Ⅴ族元素在硅中电离时能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称此类杂质为施主杂质。
23、热电效应是电流引起的可逆热效应和温差引起的电效应的总称。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
24、陷阱效应是指非平衡载流子落入位于禁带中的杂质或缺陷能级。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
25、费米能级难以移动的现象，称为高能度隙态的钉扎效应。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
26、载流子在内电场作用下的运动称为漂移运动，由此引起的电流称为漂移电流。（）
A.正确
B.错误
正确答案：错误
27、Ⅲ族元素在硅中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称此类杂质为受主杂质。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
28、内部原子或分子的排列呈现杂乱无章的分布状态的固体，称为非晶体。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
29、PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
30、氧化硅层在半导体器件中起什么作用？
正确答案：掩蔽作用|钝化作用|绝缘隔离层|绝缘栅材料
31、金属和半导体接触分为有整流特性的肖特基接触和非整流的欧姆接触。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
32、纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
33、点缺陷类型有哪些？
正确答案：①空位；②基质原子的填隙；③杂质原子的填隙与替位。
34、半导体的五大基本特性。
正确答案：（1）负电阻温度效应：温度升高，电阻减小。（2）光电导效应：由辐射引起的被照射材料的电导率改变的现象。（3）整流效应：加正向电压时，导通；加反向电压时，不导通。（4）光生伏特效应：半导体和金属接触时，在光照射下产生电动势。（5）霍尔效应：通有电流的导体在磁场中受力的作用，在垂直于电流和磁场的方向产生电动势的现象。
35、电子和空穴的不同之处是什么？
正确答案：有效质量互为相反数；能量符号相反；电子带负电，空穴带正电。
36、电子和空穴的有哪些共同之处？
正确答案：在真实空间的位置不确定；运动速度一样；数量一致（成对出现）。
37、元素半导体掺杂工艺有哪些？
正确答案：①外延；②离子注入；③热扩散。
38、什么是空穴？
正确答案：在电子脱离价键的束缚而成为自由电子后，价键中所留下的空位叫空穴。
39、什么是p型半导体？
正确答案：空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体称为p型半导体。
40、简述实际半导体中杂质与缺陷来源。
正确答案：①原材料纯度不够；②制造过程中引入；③人为控制掺杂。
41、为什么点阵间隔越小，能带越宽？
正确答案：点阵间隔越小，电子共有化运动能力越强，能带也就越宽。
42、什么是本征激发？
正确答案：电子从价带直接向导带激发，成为导带电子的过程就是本征激发。
43、什么是n型半导体？
正确答案：自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体称为n型半导体。
44、半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有哪两大类？
正确答案：带间电子-空穴直接复合和通过禁带内的复合中心进行复合。
45、为什么内壳层电子能带窄，外层电子能带宽？
正确答案：内层电子处于低能态，外层电子处于高能态，所以外层电子的共有化运动能力强，因此能带宽。（原子的内层电子受到原子核的束缚较大，与外层电子相比，它们的势垒强度较大。）
46、简述半导体的导电机构。
正确答案：导带中的电子和价带中的空穴都参与导电。
47、反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。
正确答案：雪崩|隧道
48、半导体导带中的电子浓度取决于什么？
正确答案：导带的即量子态按能量如何分布和即电子在不同能量的量子态上如何分布。
49、统一的费米能级是热平衡状态的标志。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
50、什么是本征半导体？
正确答案：纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。
51、（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
正确答案：浅能级|深能级
52、半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于（）结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成（）和纤锌矿等两种晶格结构。
正确答案：金刚石|闪锌矿
53、半导体产生光吸收的方式？
正确答案：本征、激子、杂质、晶格振动。
54、半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内的（）进行复合。
正确答案：电子和空穴|复合中心
55、如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。
正确答案：直接|间接
56、半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
正确答案：电离杂质的散射|晶格振动的散射
57、通常把服从（）的电子系统称为非简并性系统，服从（）的电子系统称为简并性系统。
正确答案：玻尔兹曼分布|费米分布
58、无论本征半导体还是杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，由温度和禁带宽度决定。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
59、在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后，由于电子空穴对的产生率与复合率相等，所以称为热平衡状态，有统一的费米能级。（）
A.正确
B.错误
正确答案：错误
60、室温下，对于某n型半导体，其费米能级在其本征半导体的费米能级之下。（）
A.正确
B.错误
正确答案：错误
61、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，其中非平衡载流子的寿命为τ。若光照忽然停止，经过τ时间后，非平衡载流子全部消失。（）
A.正确
B.错误
正确答案：错误
62、对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。
正确答案：温度|禁带宽度
63、费米分布函数适用于简并的电子系统，波耳兹曼分布函数适用于非简并的电子系统。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
64、从能带角度来看，锗、硅属于（）半导体，而砷化稼属于（）半导体，后者有利于光子的吸收和发射。
正确答案：间接带隙|直接带隙
65、与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量比半导体的大。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
66、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为100%，如果温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为小于50%。（）
A.正确
B.错误
正确答案：错误
67、砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
68、温度越高，载流子热运动的平均速度越大。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
69、半导体又分为n型半导体和p型半导体。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
70、电子在半导体中传输时若发生晶格振动散射，则会发出或者吸收声子，使电子动量发生改变，从而影响到电导率。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
71、电子浓度不等于空穴浓度。（）
A.正确
B.错误
正确答案：错误
72、掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
73、半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。
正确答案：100|间接带隙
74、在稳定不变的光照下，半导体中电子和空穴浓度也是保持恒定不变的。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
75、费米能级是半导体中大量电子构成的热力学系统的化学势。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
76、将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。（）
A.正确
B.错误
正确答案：正确
77、复合中心的作用是（）
正确答案：促进电子和空穴复合
78、间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为（）；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为（）。
正确答案：弗仑克耳缺陷|肖特基缺陷
79、两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能级（）。
正确答案：正|相等
80、能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的（），引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的（）的作用。
正确答案：二阶导数|内部势场
81、简并半导体一般是（）掺杂半导体，这时（）对载流子的散射作用不可忽略。
正确答案：重|电离杂质
82、有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过（）实验来测量。
正确答案：回旋共振
83、半导体吸收光子后产生光生载流子，在均匀半导体中是（）增加，可制成（）。
正确答案：电导率|光敏电阻
84、电子和空穴的俘获系数rn或rp必须满足（）
正确答案：rn=rp
85、光生载流子发生辐射复合时，伴随着（），这就是半导体的（）现象，利用这种现象可制成（）。
正确答案：发射光子|发光|发光管
86、有效陷阱中心位置靠近（）
正确答案：EF或费米能级
87、已知硅的Eg为1.12eV，则本征吸收的波长限为（）；Ge的Eg为0.67eV，则本征吸收的波长限为（）。
正确答案：1.11微米|1.85微米
88、纯净半导体Si中掺Ⅲ族元素的杂质，当杂质电离时在Si晶体的共价键中产生了一个（），这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
正确答案：空穴|受主|P
89、起有效复合中心的杂质能级必须位于（）
正确答案：Ei或禁带中心线
90、在存在自建电场的半导体中产生（），可制成（）。
正确答案：光生伏特|光电池
91、半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。
正确答案：电离杂质散射|晶格振动散射
92、PN结电容可分为（）和（）两种。
正确答案：扩散电容|势垒电容
93、n型硅掺As后，费米能级向（）移动，在室外温度下进一步升高温度，费米能级向（）移动。
正确答案：Ec或上|Ei或下
94、若用氮取代磷化镓中的部分磷，结果是（）；若用砷的话，结果是（）。
正确答案：禁带宽度Eg增大|禁带宽度Eg减小
95、纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放（）。这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
正确答案：电子|施主|N
96、半导体中的陷阱中心使其中光电导灵敏度（），并使其光电导衰减规律（）。
正确答案：增加|衰减时间延长
97、硅的导带极小值位于布里渊区的（），根据晶体对称性共有（）个等价能谷。
正确答案：100方向上|6
98、如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）。
正确答案：直接禁带半导体
99、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（），并且该乘积和（）有关，而与（）无关。
A.变化量
B.常数
C.杂质浓度和杂质类型
D.禁带宽度和温度
正确答案：BDC
100、当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（）运动。
正确答案：扩散|漂移
101、载流子的漂移运动是由（）引起的。
A.电场
B.浓度差
C.热运动
D.电流
正确答案：A
102、nopo=ni2标志着半导体处于（）状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？（）；当温度变化时，nopo改变否？（）。
正确答案：热平衡|不改变|改变
103、电子是带（）电的（）；空穴是带（）电的（）粒子。
A.正
B.负
C.零
D.准粒子
E.粒子
正确答案：BEAD
104、受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。
A.电子和空穴
B.空穴
C.电子
D.以上说法都不对
正确答案：BCA
105、如果在神州十号太空实验室里，生长的GaAs具有很高的载流子迁移率，这是因为（）的缘故。
A.无杂质污染
B.受较强的宇宙射线照射
C.晶体生长完整性好
D.化学配比合理
正确答案：C
106、在光电转换过程中，硅材料一般不如GaAs量子效率高，其因是（）
A.禁带较窄
B.禁带是间接型跃迁
C.禁带较宽
D.禁带较宽
正确答案：A
107、GaAs的导带极值位于布里渊区（）
A.中心
B.<111>方向边界处
C.<100>方向边界处
D.<110>方向边界处
正确答案：A
108、若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（）
A.不含施主杂质
B.不含受主杂质
C.不含任何杂质
D.处于绝对零度
正确答案：D
109、欲在掺杂适度的无表面态n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最合适的是（）
A.In（Wm=3.8eV）
B.Cr（Wm=4.6eV）
C.Au（Wm=4.8eV）
D.Al（Wm=4.2eV）
正确答案：A
110、某材料的电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是（）
A.金属
B.本征半导体
C.掺杂半导体
D.高纯化合物半导体
正确答案：C
111、对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（）
A.禁带宽度增大
B.禁带宽度减小
C.最低的导带极小值从布里渊区中心移向边界
D.最低的导带极小值在布里渊区中心不变
正确答案：B
112、硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件
A.高可靠性
B.高反压
C.高频
D.大功率
正确答案：C
113、对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）
A.单调上升
B.单调下降
C.经过一极小值趋近Ei
D.经过一极大值趋近Ei
正确答案：D
114、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主。
A.本征
B.受主
C.空穴
D.施主
E.电子
正确答案：ACE
115、半导体中的载流子扩散系数的大小取决于（）
A.复合机构
B.散射机构
C.能带结构
D.能带结构
正确答案：B
116、把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。
A.改变禁带宽度
B.产生复合中心
C.产生空穴陷阱
D.产生等电子陷阱
正确答案：D
117、根据费米分布函数，电子占据（EF+KT）能级的几率（）
A.等于空穴占据（EF+KT）能级的几率
B.等于空穴占据（EF-KT）能级的几率
C.大于电子占据EF的几率
D.大于空穴占据EF的几率
正确答案：B
118、一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于（），而将（）忽略不计。
A.杂质电离，本征激发
B.本征激发，杂质电离
C.施主电离，本征激发
D.本征激发，受主电离
正确答案：A
119、一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
A./1/4
B.1/e
C.1/e2
D.1/2
正确答案：C
120、硅导带结构为（）。
A.位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面
B.一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面
C.一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面
D.位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
正确答案：D
121、半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。
A.漂移运动
B.扩散运动
C.热运动
D.共有化运动
正确答案：B
122、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。
A.施主
B.复合中心
C.陷阱
D.两性杂质
正确答案：D
123、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（）。
A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4
B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9
C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3
D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8
正确答案：D
124、杂质对于半导体导电性能有很大影响，下面哪两种杂质分别掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（）。
A.硼或铁
B.铁或铜
C.硼或磷
D.金或银
正确答案：C
125、一般半导体它的价带顶位于（），而导带底位于（）。
A.波矢k=0或附近，波矢k≠0
B.波矢k≠0，波矢k=0或附近
C.波矢k=0，波矢k≠0
D.波矢k=0或附近，波矢k≠0或k=0
正确答案：D
126、一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态基本上（），而能量小于费米能级的量子态基本上为（），而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是（），所以费米能级的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。
A.没有被电子占据，电子所占据，1/2
B.电子所占据，没有被电子占据，1/2
C.没有被电子占据，电子所占据，1/3
D.电子所占据，没有被电子占据，1/3
正确答案：A
127、当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。
A.1
B.1/2
C.1/3
D.1/4
正确答案：C
128、在n型半导体中（）
A.空穴是多数载流子，电子是少数载流子
B.空穴的数量略多于电子
C.电子是多数载流子，空穴是少数载流子
D.没有电子
正确答案：C
129、重空穴是指（）
A.质量较大的原子组成的半导体中的空穴
B.价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C.价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
D.自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
正确答案：C
130、PN结击穿主要有下列哪三种物理机制（）
A.雪崩击穿、隧道击穿、热电击穿
B.高压击穿、跃迁击穿、热电击穿
C.雪崩击穿、隧道击穿、自发击穿
D.隧道击穿、自发击穿、跃迁击穿
正确答案：A
131、当PN结外加反向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为（）。
A.扩散电流大于漂移电流、耗尽层变宽
B.扩散电流小于漂移电流、耗尽层变宽
C.扩散电流大于漂移电流、耗尽层变窄
D.扩散电流小于漂移电流、耗尽层变窄
正确答案：B
132、在P型半导体中（）
A.电子是多数载流子，空穴是少数载流子
B.空穴的数量略多于电子
C.空穴是多数载流子，电子是少数载流子
D.没有电子
正确答案：C
133、自补偿效应的起因是（）
A.材料中先已预存在某种深能级杂质
B.材料中先已预存在某种深能级缺陷
C.掺入的杂质是双性杂质
D.掺杂导致某种缺陷产生
正确答案：B
134、下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（）。
A.含硼1×1015cm-3的硅
B.含磷1×1016cm-3的硅
C.含硼1×1015cm-3，磷1×1016cm-3的硅
D.纯净的硅
正确答案：A
135、与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）。
A.比半导体的大
B.比半导体的小
C.与半导体的相等
D.不确定
正确答案：A
136、电子在晶体中的共有化运动时指（）
A.电子在晶体中各处出现的几率相同
B.电子在晶体原胞中个点出现的几率相同
C.电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同
D.电子在晶体各原胞对应点有相同位相
正确答案：C
137、最有利陷阱作用的能级位置在（）附近
A.EA
B.少子
C.EF
D.Ei
正确答案：C
138、最有效的复合中心能级位置在（）附近。
A.EA
B.少子
C.多子
D.Ei
正确答案：D
139、载流子在电场作用下的运动为（）。
A.漂移运动
B.扩散运动
C.热运动
D.共有化运动
正确答案：A
140、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。
A.变大，变小
B.变小，变大
C.变小，变小
D.变大，变大
正确答案：B
141、砷有效的陷阱中心位置（）
A.靠近禁带中央
B.靠近费米能级
C.远离费米能级
D.远离禁带中央
正确答案：B
142、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。
A.1/e
B.1/2
C.0
D.2/e
正确答案：A
143、半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于（）
A.复合机构
B.散射机构
C.禁带宽度
D.晶体结构
正确答案：A
144、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（）
A.点阵中的金属原子空位
B.点阵中的原子间隙
C.一种在禁带中引入施主能级的点缺陷
D.一种在禁带中引入受主能级的位错
正确答案：A
145、金属和半导体接触分为：（）。
A.整流的肖特基接触和整流的欧姆接触
B.整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
C.非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触
D.非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触
正确答案：B
146、导带底的电子是（）。
A.带正电的有效质量为正的粒子
B.带正电的有效质量为负的准粒子
C.带负电的有效质量为正的粒子
D.带负电的有效质量为负的准粒子
正确答案：C
147、空穴是（）。
A.带正电的质量为正的粒子
B.带正电的质量为正的准粒子
C.带正电的质量为负的准粒子
D.带负电的质量为负的准粒子
正确答案：B
148、与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。
A.比绝缘体的大
B.比绝缘体的小
C.和绝缘体的相同
D.和绝缘体的不同
正确答案：B
149、对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（）。
A.声学波散射和光学波散射
B.声学波散射和电离杂质散射
C.光学波散射和电离杂质散射
D.光学波散射
正确答案：B
150、对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
A.上移
B.下移
C.不变
D.左移
正确答案：B
151、砷化稼的能带结构是（）能隙结构。
A.直接
B.间接
C.转换
D.转变
正确答案：A
152、本征半导体是指（）的半导体。
A.不含杂质和缺陷
B.电阻率最高
C.电子密度和空穴密度相等
D.电子密度与本征载流子密度相等
正确答案：A
153、有效复合中心的能级必靠近（）。
A.禁带中部
B.导带
C.价带
D.费米能级
正确答案：A
154、公式*q/m中的τ是半导体载流子的（）。
A.迁移时间
B.寿命
C.平均自由时间
D.扩散时间
正确答案：C
155、锗的晶格结构和能带结构分别是（）。
A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型
正确答案：C
156、MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。
A.相同
B.不同
C.无关
D.不确定
正确答案：A
157、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（）。
A.不含施主杂质
B.不含受主杂质
C.不含任何杂质
D.处于绝对零度
正确答案：D
158、在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。
A.杂质浓度和温度
B.温度和禁带宽度
C.杂质浓度和禁带宽度
D.杂质类型和温度
正确答案：B
159、将Si掺杂入GaAs中，若Si取代As则起（）杂质作用。
A.施主
B.受主
C.陷阱
D.复合中心
正确答案：B
160、在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
A.锗
B.磷
C.硼
D.锡
正确答案：B
161、在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）
A.在禁带中线处
B.靠近导带底
C.靠近价带顶
D.以上都不是
正确答案：B
162、当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。
A.1/n0
B.1/△n
C.1/p0
D.1/△p
正确答案：A
163、对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。
A.Ec
B.Ev
C.Eg
D.Ef
正确答案：D
164、将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（）杂质作用。
A.施主
B.受主
C.陷阱
D.复合中心
正确答案：A
165、对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）。
A.单调上升
B.单调下降
C.经过一个极小值趋近Ei
D.经过一个极大值趋近Ei
正确答案：D
166、对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。
A.平衡载流子浓度成正比
B.非平衡载流子浓度成正比
C.平衡载流子浓度成反比
D.非平衡载流子浓度成反比
正确答案：D