MOSFET的主要噪声源有热噪声和闪烁噪声。热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成的；闪烁噪声是由沟道处二氧化硅与硅界面上电子的充放电引起的。下列说法正确的有（）。

MOSFET的主要噪声源有热噪声和闪烁噪声。热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成的；闪烁噪声是由沟道处二氧化硅与硅界面上电子的充放电引起的。下列说法正确的有（）。
A、减薄栅氧化膜的厚度，有利于降低热噪声和l/f噪声，但栅氧化膜的最小厚度受工艺限制。
B、增加MOS管的栅宽和偏置电流减少热噪声。
C、增加栅长、栅宽可降低闪烁噪声。但增加栅长会增加热噪声。
D、PMOS晶体管的1/f噪声要比尺寸相同的NMOS晶体管大。
正确答案：减薄栅氧化膜的厚度，有利于降低热噪声和l/f噪声，但栅氧化膜的最小厚度受工艺限制。|增加MOS管的栅宽和偏置电流减少热噪声。|增加栅长、栅宽可降低闪烁噪声。但增加栅长会增加热噪声。