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SiC是宽带隙的半导体材料。

SiC是宽带隙的半导体材料。
A.正确
B.错误
正确答案：A

标签：半导体材料

上一条：弗仑克尔缺陷是指空位和间隙原子成对出现的缺陷。

下一条：载流子的扩散运动产生漂移电流。