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对于窄禁带半导体材料，热电击穿是重要的击穿机制。

对于窄禁带半导体材料，热电击穿是重要的击穿机制。
A.正确
B.错误
正确答案：A

标签：热电机制半导体材料

上一条：对某块掺杂硅材料在整个温度范围内测量霍尔系数，结果均为RH＜0，则该材料的导电类型为（）

下一条：一块2cm长的硅片，横截面是0.1cm2，用于测量电子迁移率。已知掺杂浓度为ND=10cm，测得电阻值为90Ω，则其电子迁移率为（）。