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硅外延生长工艺包括（）。

硅外延生长工艺包括（）。
A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度，生长压力，生长速度
D.尾气的处理
正确答案：A，B，C，D

标签：生长衬底原位

上一条：数据库以（）形式存入于磁盘中。

下一条：腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）