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衬底

1衬底材料就是制作压花艺术作品时使用的衬底，也就是压花的载体。（）
2压花用的衬底材料非常广泛，有纸质衬底材料、木质衬底材料、纤维织物、玻璃和陶瓷等等。（）
3拉祜族服装大都以黑布衬底，用彩线和色布缀上各种花边图案，再嵌上洁白的银泡，使整个色彩既深沉而又对比鲜明，给人以无限的美感。
4当与警告标志一起使用时，横写的文字辅助标志的衬底色应该使用（）。
5当与警告标志一起使用时，文字辅助标志的文字和衬底色分别使用的颜色是：（）
6当与禁止标志和指令标志配合使用时，文字辅助标志的文字和衬底色分别使用的颜色是：（）
7竖写时，文字辅助标志写在标志杆的上部，白色字，黑色衬底。（）
8当横写时，文字辅助标志写在标志的下方，当与警告标志一起出现时，文字使用黑色，衬底色使用白色。（）
9在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A在磷掺杂浓度为2e16cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（）
10以下可能导致MIS结构（p型衬底）的阈值电压提高的因素有（）
11外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。
12VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
13外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长（）薄膜。
14CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有：扩散；；表面迁移。（三个字）
15从两电极面积判断射频溅射时，靶放在那个电极上、衬底放在那个电极上？
16铜铟镓硒（CIGS）薄膜组件是在CIS（CuInSe2）的基础上发展起来的，指使用化学物质Cu（铜）、In（铟）、Ga（镓）、Se(硒)通过共蒸发或后硒化工艺在衬底上形成吸收层的光伏电池技术。分为（）法和（）法两种。
17用GaAs做衬底的光伏电池效率高达29.5%（一般在19.5%左右），产品耐高温和辐射，但生产成本高，产量受限，现今主要作用。
18是否需要使用（）材料，是阻性消声器与抗性消声器的主要结构区别之一。
19利用高能粒子高速撞击靶材，使大量的靶材表面原子获得相当高的能量而脱离靶材的束缚飞向衬底，沉积成膜，这种制膜方法称为溅射镀膜。
20如果一个电路的最高电压是VDD，最低电压是VSS，那么NMOS器件的衬底应该接VDD。
21下列关于体效应的说法，正确的是（）
22判断制造下列电路的衬底类型
23Revit基本墙可以选择的墙功能有衬底、面层、涂膜层等。（）
24硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。
25MOSFET的温度特性主要来源于阈值电压的绝对值和载流子的迁移率随温度升高而减小，而集成电路工作时由于热损耗和散热问题总是容易出现较高温度下工作，下列能够有效降低温度对集成电路工作稳定性影响的有（）。
26MOSFET的三个基本几何参数是（）
27MOS器件的体效应，是指（）间未连接在一起，因而两者之间存在偏置电压，使得沟道处的场感应结反偏，耗尽层增加，阈值电压的绝对值升高。
28MOS管，可近似为由两个背靠背的pn结（漏极和衬底基极间的pn结、源极和衬底基极间的pn结）和一个电容器（栅极和栅氧化层和紧邻的衬底部分形成的电容）组成。其中控制导电沟道的核心是（）。
29在制备完好的单晶衬底上，延其原来晶向，生长一层厚度.导电类型.电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层，该薄膜制备方法是（）。
30当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）
31NMOS管的衬底接法正确的是（）
32提高LED发光效率的关键是提高（）步骤的出光效率。
33以下关于软包工程施工工艺的叙述，不正确的是（）。
34N沟道MOS管的导电沟道由（）组成，衬底是P型半导体。
35显影后需要坚膜的主要原因是（）
36下列对于CVD描述正确的是（）
37我国对垃圾填埋有如下要求，除了
38在微电子领域，最早使用的衬底材料是（），应用最多的高频高速化合物半导体衬底是（），最普遍使用的半导体衬底材料是（）。
39NMOS管先串联再并联，衬底接（）
40或与非门电路中NMOS管的衬底接（）
41或与非门电路中PMOS管的衬底接（）
422个NMOS管先串联再并联，衬底接（）
43与或非门电路中NMOS管的衬底接（）
44与或非门电路中PMOS管的衬底接（）
45三态门电路中NMOS管的衬底接（）
46安全标志分为禁止标志、警告标志、指令标志、提示标志四类，下列描述中属于警告标志的是（）
47“止步，高压危险！”标示牌式样颜色为（）。
48安全标志中，警告标志的基本形式是（）
49光盘分为三层，由正面到背面分别为（）。
50根据《安全标志及其使用导则》第4.5.2条规定，文字竖写时，文字辅助标志写在标志杆的上部（）均为白色衬底黑色字。标志杆下部色带的颜色应和标志的颜色相一致。
51根据《安全标志及其使用导则》第4.5.2条规定，文字辅助标志竖写时，（）为白色衬底。
52—般要求标识必须符合哪些要求？
53以下哪些是产品条码标识的—般要求？
54江西科研团队自主研发的（），打破了日美等国的技术垄断，荣获国家技术发明一等奖。
55溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
56硅外延生长工艺包括（）。
57衬底清洗过程包括哪几个步骤？
58什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？
59影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？
60常用溅射技术有哪几种，简述它们的工作原理和特点。
61非晶硅太阻电池需要有衬底。
62刻槽埋栅电池的叙述不正确优点是（）。
63光盘分为三层，由正面到背面分别为（）
64我国对垃圾填埋有以下卫生要求，除外
65半导体集成电路是微电子技术的核心。下面有关集成电路的叙述中错误的是（）。
66制造太阳能电池为什么要使用衬底？
67硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工。
68可给通过修改结构增加屋檐底板衬底层。（）
69Revit中墙有内外之分，外部面层一般设置为（）。
70创建墙体时，墙体功能包含（）。
71对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将（）。
72以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（）
73智慧树知到《芯片基础模拟集成电路设计》章节测试答案
74下列关于丁香酚临床应用的描述，正确的是（）