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晶体缺陷对电阻率的影响表现为（）

晶体缺陷对电阻率的影响表现为（）
A.增加剩余电阻率ρ_0
B.降低电子浓度n
C.改变费米速度v_F
D.减小晶格常数
正确答案：A
标签：科学理论知识竞赛 电阻率 晶格
上一条：电阻率ρ与温度T的关系在低温下可近似表示为（）
下一条：在推导I=neAv_d时，假设电子集体运动速度为v_d，则单位时间内通过截面的电荷量为（）