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3V
3V
1
大数据的特性可以用个3V表示,分别为()。
2
NPN型三极管Ub=37VUc=3V、Ue=3V该管处于()状态
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电动势为3V的电池,在电路中输出3A的电流,由此可知()
4
3V、4X、5A和6Y字头分别代表国家:
5
车辆传感器,当有车辆占用时,无源型号电压VP-P≥3V。
6
一个交流RC串联电路,已知UR=3V,UC=4V,则总电压等于()V。
7
一定质量的理想气体,经过等压过程,体积从V膨胀到3V,则
8
下列属于3V化设备的是()
9
已知某晶体管UBE=07V,UCE=3V,则该管工作在()区。
10
3V
11
RS232采用负逻辑,-8V~-3V为逻辑1,+3V~+8V为逻辑0。
12
大数据的普遍共识的3V定义,不包括()。
13
在图2-3所示电路中,若U1=8V,U2=3V,U=()
14
大数据的3V特征是指()
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电路中有a、b、c三点,已知Uab=3V,Ubc=5V,则Ubc为()。
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假设电路完全对称,且VDD=3V时,所有器件都饱和,那么Vout=()
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如图所示运算放大器电路中,已知ui1=1V,ui2=2V,ui3=3V,ui4=4V,R1=R2=2k,R3=R4=Rf=1k,求u0=?
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图示电路中,VA=3V,VB=0V,若二极管的正向压降忽略不计,则VF为()
19
测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE=3V,VB=37V,VC=33V,则该管工作在()。
20
某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入3kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为
21
计算得某支路的电压U=()3V,其负号指的是所设电压参考方向与实际方向相同。
22
设某增强型N沟道MOS管UGS(th)=3V,试问当它的栅源电压uGS=25V时,该管处于()区。
23
设某增强型N沟道MOS管UGS(th)=3V,试问当它的栅源电压uGS=25V时,该管处于()状态。
24
一三极管三个极的对地电位分别有VC=33V,VE=3V,VB=37V,则该管工作在()。
25
10位A/D转换器中,VREF为5V。当模拟输入电压为3V时,转换后对应的数字量为()。
26
测得某电路中三极管各级电位分别是3V、23V、12V,则三极管的三个电极分别是(),该管是()型。
27
在一个放大电路中,测得某三极管各极对地的电位为U1=3V,U2=﹣3V,U3=﹣27V,则可知该管为()。
28
测得工作在放大区的晶体管,各极对地电位分别为27V,3V,68V,则对应的三个电极分别是()。
29
若把电路中原来为+3V的点,改为电位的参考点,则其它各点的电位将()。
30
某放大电路的输出电阻是15kΩ,空载时输出电压是3v,则当接上45KΩ的负载后,输出电压是()
31
假定某放大电路空载时输出电压为4V,接入24kΩ的负载后,测得输出电压下降至3V,则该放大电路的输出电阻为()。
32
已知Uab=5V,Ubc=3V,如果以b点为参考点,则a、b、c三点的电位为()。
33
已知2F的电容的初始电压值为3V,则它的初始储能为()。
34
IBM公司用3个V来描述大数据的三个基本特性,这3V是()
35
某个物理层协议用传输媒体上3V的电平表示位1,这是协议的()方面决定的。
36
IBM公司用3个V来描述大数据的三个基本特征,这3V是()
37
电压互感器开口三角形绕组的额定电压,在大接地系统中为100/3V。()
38
在图2-1所示电路中,已知电压表V1、V2读数分别为3V、4V,则电压表V3的读数为()V。
39
某放大电路在负载开路时的输出电压4V,接入12KΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为()。
40
NPN型三极管的集电极、基极、发射极电压分别为6V、2V、3V,则三极管处于()状态。
41
在电路中,已知UAB=3V,则UBA=()V,说明()(填A或B)点的电位高。
42
设MOS管的VTN=1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=2V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。
43
某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为37V、9V和3V,则37V所对应的电极为()。
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两只稳压值分别为3V和6V的硅稳压管并联,可得到的稳压值是()
45
准确度为05级,量程为3V的电流表,测量时可能出现的最大仪器误差为?
46
电源电动势为3V,内阻为03Ω,当外电路断路时,电路中的电流和端电压分别是()。
47
某场效晶体管的UGS(th)=3V。什么情况下该管导通?
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NPN型三极管,三个电极的电位分别有VC=33V,VE=3V,VB=37V,则该管工作在()。
49
测得三极管放大电路的三极管对地电位为U1=3V,U32V,U5V,则该管是()。
50
电压互感器开口三角形绕组的额定电压,在大接地系统中为100/3V。()
51
测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE=3V,VB=37V,VC=33V,则该管工作在()。
52
每相电源的电压为220v,三角形连接,既可以输出220v,也可以输出220√3v的电压()。
53
电阻上的电压3V,流过电阻的电流1A,那么该电阻消耗的功率为()W。
54
某放大电路,负载开路时输出电压为3V,接入2kΩ负载时输出电压为2V,则输出电阻为()kΩ。
55
某放大电路,负载开路时输出电压为3V,接入1kΩ负载时输出电压为15V,则输出电阻为()kΩ。
56
3V化扼流变压器内调谐器在25Hz电源的情况下,电容上电压是电感上的2倍。
57
QT-25型调相器用于3V化25Hz相敏轨道电路,通过调整使轨道继电器轨道线圈电压和局部线圈电压有较好的相位差。
58
电压互感器开口三角形绕组的额定电压,在大接地系统中为100/3V。
59
电压表的内阻为3kΩ,最大量程为3V,先将它串联一个电阻改装成一个15V的电压表,则串联电阻的阻值为()kΩ。
60
电压互感器开口三角形绕组的额定电压,在大接地系统中为100/3V。
61
已知电路中A点电位为12V,B点电位为3V,则A、B两点间的电压为()V。
62
电压表的内阻为3kΩ最大量程为3V,先将它串联一个电阻改装成一个15V的电压表,则串联电阻的阻值为()kΩ。
63
在R、C串联电路中,R上的电压为4V,C上的电压为3V,R、C串联电路端电压及功率因数分别为()。
64
一个内阻为3K,量程为3V的电压表,现要扩大它的量程为18V,则需要连接的电阻为()。
65
NPN型三极管三个极电位分别有VC=33V,VE=3V,VB=37V,则该管工作在()
66
已知NPN型硅管B、E、C三个电极的电位分别为2V、3V、6V,该管的工作状态是()。
67
三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是3V、33V和5V,则此三极管是()。
68
测得放大电路中某晶体管集电极、基极、发射极对地的电位分别为0V、3V和37V,则该三极管的类型为()。
69
测得放大电路中某晶体管集电极、基极、发射极对地的电位分别为6V、33V和3V,则该三极管的类型为()。
70
测得放大电路中某晶体管集电极、基极、发射极对地的电位分别为0V、3V和33V,则该三极管的类型为()。
71
测得放大电路中某晶体管集电极、基极、发射极对地的电位分别为6V、37V和3V,则该三极管的类型为()。
72
测得某放大电路半导体三极管三个管脚对地电压为U1=3V,U2=8V,U3=37V,则该三极管为()
73
测的某三极管三个极的电位为别是3V、-1V和37V,则该三极管的类型和对应的三个电极分别是()
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3V供电,即可满足MC9S12系列单片机的正常供电需求。()
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测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为VE=3V,VB=37V,VC=33V,则该管工作在
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电路如图所示,二极管为同一型号的理想元件,电阻R=4k,电位uA=1V,uB=3V,则电位uF等于()。
77
某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为()。
78
若测得某晶体管在其所组成的放大电路中,三个电极的电位分别是7V、33V、3V,则可判断该品体管属于()
79
测得某放大电路半导体三极管三个管脚对地电压为U1=3V,U2=8V,U3=37V,则三个电极为
80
一个信号是由2kHZ,5v,2kHZ,3v和2kHZ,2v三个信号合成的,它的频谱中包含()。
81
一只小灯泡标有38V字样,额定功率模糊不清,某同学设计了如图6甲所示的电路进行测量,电源电压恒为6V,电压表、电流表使用的量程分别为0~3V、0~06A,滑动变阻器的规格为10Ω1A,他根据实验数据作出了电压表、电流表示数的U—I图像,如图6乙所示。则以下判断正确的是()
82
在D/A变换器中,分辨率表示它的一个LSB(最低有效位)输入使输出变化的程度。通常用D/A变换器输入的二进制位数来描述,如8位、10位、12位等等。对于一个8位D/A变换器来说,当它的输出电压范围为0~+3V时,则其分辨率为()。
83
安全监控系统用开关量传感器,如果是机械接点式信号输出时,其断开时的电阻应大于();如果是电子式信号输出时,其高电平应不低于3V,其低电平应不高于()。
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如图所示正弦交流电路中,各电压表读数均为有效值。已知电压表V、V1和V2的读数分别为10V、6V和3V,则电压表V。读数为()。
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根据材料,回答下列各题。有甲、乙两块电压表,经校准,甲表的最大示值误差发生在50V处,相对误差为4%;乙表的最大示值误差发生在70V处,为25V,且乙表在示值90V处的实际电压值为9i3V。甲表的最大示值误差为()V。
86
测量一个±12V双电源供电的反相比例放大器uo=-10ui的输出电压,当输入为3V时,测量值为-10V,则在数据处理时,该误差应作为处理
87
数字式负序电压继电器往往用模拟相间短路的单相电压方法(BC相短路,单相电压A-BC加于AB间)整定,如果整定值为负序相电压3V,则此时继电器的动作电压UA-BC应为()V。
88
HPT-ZD型调相匹配盒用于3V化25Hz相敏轨道电路叠加国产移频或ZPW2000四线制电码化区段,其调相部分的作用是使轨道继电器轨道线圈电压和局部线圈电压有较好的相位差。
89
BGK-130/25型轨道电抗变压器用于3V化轨道电路受端隔离,其作用是与扼流变压器、调谐器配合,提高轨道电路分路灵敏度。
90
已知MOS管的开启电压为VTN=1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=2V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。
91
N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)=-2V,当测量到它在电路中的电压值为:UDS=3V,UGS=-1V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。
92
已知N沟道增强型MOSFET的开启电压为UGS(th)=1V,若管子的偏置电压为UGS=2V,UDS=3V,则可以判断该管子工作在()区。
93
在对本次实验设计的多谐振荡器电路测量其电压参数时,测得Vc(2、6脚)处三角波的最小电压为15V,最大电压为3V,此时应怎么办?
94
测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=-5V,VG=1V,VD=3V,其开启电压VGS(th)=4V。试分析管子的工作状态。
95
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=2V,VTN=1V;其中VTN为增强型MOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域。
96
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=1V,VTN=15V;其中VTN为增强型MOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域。
97
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=-1V,VPN=-2V;其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压;试判断该管工作在什么区域。
98
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=-2V,VTP=-1V;其中VTP为增强型PMOS管的开启电压;试判断该管工作状态
99
某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入3kW的负载电阻后,输出电压为3V。说明放大电路的输出电阻为()。