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半导体

401面接触型半导体二极管用于检波和变频等高频电路

402平面型半导体二极管用于工频大电流整流电路.

403半导体三极管在工作时一定要加上适当的直交流流偏置电压。

404点接触型半导体二极管用于高频整流和开关电路。

405半导体三极管具有放大作用和开关作用

406光敏电阻是利用半导体的光致导电特性制成，是无结器件

407纯净.不含杂质的单晶体结构的半导体，叫本征半导体

408自然界中的物质按其导电性能可分为导体.半导体和绝缘体

409只能读出不能改写，信息可永久保存的半导体存储器是（）。

410本征半导体温度升高后，两种载流子浓度不再相等。（）

411自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。（）

412在本征半导体中分别加入（）元素可形成N型和P型半导体。

413半导体中的空穴带正电。（）

414根据在本征半导体中掺入的杂质不同，可把杂质半导体分为：（）和（）两大类。

415三极管的发射区和集电区是同类型半导体，因此，发射极和集电极是可以互换使用的。（）

416N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

417半导体与绝缘体有十分类似的能带机构，只是半导体的禁带宽度要窄得多

418同步发电机的励磁方式有直流发电机励磁和自励式半导体励磁两大类。（）

419电子点火实际上就是利用半导体器件作为开关，（）或（）初级电流，因而又称为半导体点火或晶体管点火。

420可编程序控制器输出电路有三种形式，即（）、（）、（）。

421P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。（）

422N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。（）

423半导体RAM分为静态RAM和动态RAM。

424SRAM和DRAM都是经常采用的半导体随机访问存储器，它们的特点是断电后可以保存信息。

425下列存储器中，属于随机存取存储器的是（）。

426实施（）战略的投资规模小，近年来成为生物技术、半导体公司等高新技术企业弥补研发费用的有效途径

427P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）

428N型半导体是在本征半导体中掺入（）。

429智慧城市采用的是照明路灯？（）

430实施（）战略的投资规模小，今年来成为生物技术、半导体公司等高新技术企业弥补研发费用的有效途径。

431N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，因此说N型半导体带负电。（）

432半导体分立器件的参数，按其性质可分为（）。

433开放手机联盟的成员包括：

434放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是

435放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）

436太阳能光伏发电系统的最核心的器件是（）

437基于新型半导体结构的 FPGA的两种结构有：碳纳米管交叉开关结构、忆阻器结构。

438数字化制造指在数字化技术和（）融合的背景下，实现制造领域的数字化。

439半导体存储器是一种易失性存储器，电源掉电后所存信息均将丢失。

440半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆。

441当半导体表面被加热至稳定状态时，气体接触半导体表面而被吸附，吸附的分子首先在半导体表面自由扩散，失去运动能量，一部分分子被蒸发掉，另一部分分子固定在吸附处。

442ZnO在Zn蒸汽中可形成（）型半导体

443需要定时刷新的半导体存储器芯片是（）。

444电力电子技术主要包括（）和（）两部分内容。

445半导体的能带结构通常由 1 个充满电子的低能价带和 1 个空的高能导带构成，价带和导带之间的区域称为禁带。

446半导体应变片的灵敏度随半导体尺寸的不同而不同（）。

447大容量、高速度的网络通信材料是（）。

448金属应变片和半导体应变片的工作原理都是利用变形效应。

449半导体应变片的工作原理是利用了半导体材料的压阻效应。

450未来的计算机将是半导体、超导、光学、仿生等多种技术相结合的产物.。

451在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

452集成运放制造工艺使得同类半导体管的（）

453用于信息传输的材料是（）

454双向晶闸管是NPNPN五层三端半导体结构。（）

455霍尔信号发生器中的霍尔元件属于（）元件。

456存储器按存取方式分为（）、（）和串行访问存储器。

457下面哪个不是半导体存储器（）

458半导体存储器按读、写功能分有（）和（）2种。

459半导体存储器按功能分为（）和（）两种。

460半导体存储器在电路结构上可以像寄存器那样把每个存储单元的输入和输出直接引出。

461半导体存储器的容量用存储单元的数量来表示，通常表示为“字数*位数”的形式。

462放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是。

463共源放大电路中，在低频信号作用下，电流放大倍数数值下降的原因是（）

464集成运放制造工艺使得相邻同类半导体管的指标参数准确

465当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）。

466半导体数码管中的LED有两种连接方式，一种为共阴极连接，另一种为共阳极连接。对共阴极连接，需点亮的LED的阳极应接（）。

467半导体存储器

468在下列存储器中，属于破坏性读出的是

469什么是本征半导体和杂质半导体？

470制备杂质半导体时一般按什么比例在本征半导体中掺杂？

471因半导体中掺加的杂质不同，含杂质半导体可分为（）型半导体和（）型半导体两类。

472半导体内的载流子越多，导电能力越（）。

473为了使半导体三极管工作在放大状态，必须使发射结正偏，集电结（）（）。

474目前常用的PCR基因扩增仪控温方式有（）。

475现代信息技术主要包括计算机技术、通信技术、传感技术和（）

476煤的导电性属于（）或（）的范围

477根据敏感元件材料的不同，可以将应变器分为金属式和半导体式。

478微传感器

479主要靠电子导电的半导体，称为（）型半导体；主要靠空穴导电的半导体，称为（）型半导体。

480适合于作霍尔元件的是（）

481半导体应变片的工作原理是（）

482半导体

483如果一个半导体储存器中有m位地址线，则应有（）个储存单元，若输出位数为n位，则其存储容量为（）位

484双向晶闸管是（）半导体结构。

485GTR是由三层半导体、两个PN结构成的三端器件，所以可分为（）型和（）型两种形式。

486低压变频器指输入电源电压为110∽1kV中、小容量的变频器，直接采用等半导体元件可以实现变频。

487为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作？

488Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的基本性质。

489金属和半导体接触分为有整流特性的肖特基接触和非整流的欧姆接触。（）

490纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。（）

496如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。

497无论本征半导体还是杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，由温度和禁带宽度决定。（）

498从能带角度来看，锗、硅属于（）半导体，而砷化稼属于（）半导体，后者有利于光子的吸收和发射。

499与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量比半导体的大。（）

500砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。（）

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