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半导体

501半导体又分为n型半导体和p型半导体。（）
502掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。（）
503半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。
504简并半导体一般是（）掺杂半导体，这时（）对载流子的散射作用不可忽略。
505半导体吸收光子后产生光生载流子，在均匀半导体中是（）增加，可制成（）。
506纯净半导体Si中掺Ⅲ族元素的杂质，当杂质电离时在Si晶体的共价键中产生了一个（），这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
507纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放（）。这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
508如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）。
509当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（）运动。
510nopo=ni2标志着半导体处于（）状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？（）；当温度变化时，nopo改变否？（）。
511受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。
512若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（）
513某材料的电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是（）
514一般半导体它的价带顶位于（），而导带底位于（）。
515与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）。
516金属和半导体接触分为：（）。
517与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。
518本征半导体是指（）的半导体。
519如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（）。
520半导体二极管的反向饱和电流越（），说明该二极管的单向导电性越好。
521N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素构成的，其多数载流子是（）
522日前采用的LD的结构种类属于（）
523半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。
524中国科学院物理所半导体研究室在（）领导下开展硅材料的研究，于1958年获得中国第一根硅单晶，为中国在1960年正式全面开展半导体硅器件的研制创造了先决条件。
525既不完全隔绝电流，又不能很好地传导电流，这类材料叫：
526耳塞半导体（打一字）
527超声波在以下介质中传播时强度会发生衰减，其中衰减最大的是（）
528半导体应变片的灵敏度随（）的不同而不同。
529通常用于制作霍尔元件的材料是（）。
530N型半导体是在纯净的半导体中加入（）
531N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
532N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。（本题4.0分
533衡量半导体存储器性能的指标包括（）。
534半导体三极管有两大类型（）、（）。
535双极型半导体三极管是由（）种载流子参与导电的半导体器件，它由（）个PN结组合而成，是一种（）控制电流源器件。
536静态半导体存储器RAM（）。
537下列（）不是半导体存储器芯片的性能指标。
538属于半导体存储介质的是（）
539半导体ROM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆
540下列哪一项是半导体式应变计的主要优点（）。
541下列传感器不属于按基本效应分类的是（）。
542下面哪些因素会影响半导体元件的导电性能？（）
543半导体泵浦激光器发生不出激光故障现象，可能的原因是半（全）反射镜污染。（）
544半导体激光器的工作物质为（）材料。
545半导体激光器工作物质不包含（）材料。
546半导体泵浦激光器采用（）泵浦方式。
547关于半导体泵浦激光器不出激光故障现象，以下的说法正确的是（）。
548半导体泵浦激光器出现输出功率下降故障现象，以下的说法正确的是（）。
549半导体应变片的灵敏度随（）的不同而不同
550半导体根据掺杂特性可分为（）三种。
551半导体具有（）三大特性。
552在本征半导体掺入少量的3价元素硼得到的半导体为（）。
553金属应变片与半导体应变片比较，说法正确的为：
554集成温度传感器是利用半导体PN结的（）随温度升高而降低的特性来进行温度测量。
555关于N型半导体，下面说法正确的有（）。
556关于P型半导体，下面说法正确的有（）。
557关于本征半导体，下面说法错误的是（）。
558（）不是杂质在半导体中的扩散方式。
559半导体工业中所用的单晶硅属于结构材料。
560霍尔元件的材料
561完全没有参杂的半导体称为（）半导体。
562高压电缆的结构由
563对半导体而言其说法正确的是
564目前大部分的微处理器使用的半导体工艺称为（）。
565对半导体而言，其正确的说法是（）
566用一种特殊的工艺向纯硅或纯锗中掺入少量，这样就能得到P型半导体。（）。
567深圳市安全节能环保产业集群中，半导体照明领域的企业有哪些？
568光明区安全节能环保产业集群相关企业主要分布在哪些领域？（）
569OLED（OrganicLight-EmittingDiode），又称为（）
570半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间、它具有（）特性。
571在本征半导体掺入（）价元素杂质，就形成P型半导体。
572半导体稳压二极管是用（）材料制成的。
573一般都用（）的半导体材料来制造平面器件。
574杂质半导体中，空穴的浓度比电子浓度高得多的，主要依靠空穴导电的称为（）。
575下列材料中，不具有霍尔效应的材料是什么？（）
576半导体应变片工作原理是基于（）效应。
577激光器按工作物质种类可分为（）。
578在N型半导体中，空穴浓度（）电子浓度。
579在纯净半导体中掺入五价磷元素后，这种半导体的多数载流子是（）
580自由电子（）空穴对在本征半导体中是成对出现的。
581当温度升高时，半导体的导电性能将减弱。
582在本征半导体中掺入微量的（）价元素，可形成N型半导体。
583在本征半导体中加入三价元素可形成N型半导体，加入五价元素可形成P型半导体。
584N型半导体是在本征半导体中加入了（）元素的杂质。
585GM/T0084《密码模块物理攻击缓解技术指南》中，以下哪些属于篡改抵抗类技术（）。
586电力电子器件主要是指半导体功率开关器件
587半导体三极管是在一块半导体上制成（）个PN结，再引出3个电极构成。
588P型半导体中只有载流子空穴，N型半导体中只有载流子电子。
589下列关于太阳光子能量Eγ与半导体带隙Eg的关系说法正确的是（）。
590硅太阳能电池串联电阻来源不包括（）。
591下列关于太阳光子能量Eγ与半导体带隙Eg的关系说法不正确的是（）。
592日本工业高度发达，科技实力雄厚，在（）等方面的科技水平居世界前列。积分不足，请充值
593太阳能电池材料酞菁属于P型半导体，具有（）电子的大共轭体系。
594PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由向区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由向区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个，其方向由区指向区。的建立，对多数载流的起削弱作用，对少子的起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，形成。
595N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。
596PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由（）向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由（）向（）区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个（），其方向由（）区指向（）区。（）的建立，对多数载流子的（）起削弱作用，对少子的（）起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，（）形成。
597N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为（），少数载流子为（），不能移动的杂质离子带（）电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为（），少数载流子为（），不能移动的杂质离子带（）电。
598热敏电阻是用一种（）材料制成的敏感元件。
599STM32是哪个公司的产品（）
600N型半导体是在本征半导体中掺入（）价元素后所形成的半导体
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