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半导体

801半导体存储器按采用元件的类型来分有（）和MOS型存储器两大类。
802compound semiconductor
803chalcogenide semiconductor
804功率二极管的基本结构与普通二极管一样，都是以半导体PN结为基础的。
805光半导体元器件中，ld表示（？）
806产生光载波，并把电信号变换成光信号的器件即为发光器件。光纤通信中使用的半导体发光器件有（）
807半导体整流电路中使用的整流二极管应选用（）
808导电性能很差的材料称为（）。
809导电性能介于导体和绝缘体之间的物体称为半导体。。
810完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。
811绝缘靴是由特种橡胶制成的，用于人体与（）绝缘的靴子。
812高压交联电缆构造要求交联工艺必须是全封闭干式交联，内、外半导体与绝缘层必须采用（）共挤。
813各种物质按其导电性能大致可分为导体、半导体和绝缘体三种。
814属于半导体的物体是（）。
815半导体的电阻随温度的升高（）。
816N型和P型半导体都是电中性的，对外不显电性。
817当温度升高时，半导体电阻将增大。
818在显示技术的发展历程中，属于半导体显示相关的（）
819下列属于第三代半导体的晶体材料是（）。
820杂质半导体在本征半导体中掺入某种特定的杂质
821半导体有三个基本特性（）。
822LED是指半导体数码管显示器件。（）
823半导体制造中使用的金属包括（）。
824半导体的导电能力随着温度的升高而提高。
825属于半导体存储器的有（）。
826按集成电路所处理的信号的性质或处理方式的不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。
827固体半导体摄像机所使用的固体摄像元件为（）
828下列哪一项是非电阻型半导体气敏器件（）。
829下列哪一项不是半导体应变计的主要优点（）。
830半导体陶瓷湿敏器件所具有的优点（）。
831半导体色敏传感器又称为（）。
832最适合制作霍尔传感器的物质是（）
833测量不能直接接触的高温物体温度，可采用（）温度传感器。
834本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体。（）
835半导体应变计具有较小的非线性，输出信号较强，故抗干扰能力较好。（）
836根据敏感元件材料的不同，应变计可分为金属式和半导体式两大类。（）
837金属材料灵敏度比半导体大50～100倍。（）
838扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的。（）
839根据敏感元件材料的不同，可以将应变器分为金属式和半导体式。（）
840正温度系数型半导体热敏电阻的色标为绿色，负温度系数型半导体热敏电阻的色标为红色，临界型半导体热敏电阻的色标为白色。（）
841对于金属，其灵敏度为50~100，比半导体灵敏度大得多。（）
842半导体透射光强随温度的增加而增加。（）
843半导体吸光温度传感器属于光纤传感器。（）
844对于半导体氧化物催化剂ZnO中引入少量的Al 3+ 后，理论上催化剂的活性会有什么变化（）
845根据物体的导电表现，可以将其分为（）
846光接收机中常用的光电检测器是：（）
847光发射机的光源，一般采用：（）
848在半导体中掺入三价元素后的半导体称为（）。
849P型半导体内的多子是（）。
850N型半导体是在本征半导体中加入微量的元素构成的。
851下列哪个不是金属式电阻应变片的常见类型（）。
852半导体透射光强随温度的增加而增加。
853正温度系数型半导体热敏电阻的色标为绿色，负温度系数型半导体热敏电阻的色标为红色，临界型半导体热敏电阻的色标为白色。
854掺杂半导体是在本征半导体内加入3价或5价元素，以提高半导体导电能力。（）
855N型半导体的多数载流子是空穴。（）
856按照导电能力，可以将物体分为导体、绝缘体和半导体。（）
857P型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质元素获得。（）
858在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）
859半导体二极管截止时，外加电压uD为（）。
860相对金属应变片，半导体应变片具有（）等优点。
861计算机的内存一般由RAM和ROM两种半导体存储器组成。
862在本征半导体中导电载流子有（）种。
863N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。
864N型半导体是由本征半导体掺杂制成的，掺入的是三价的杂质。
865N型半导体的多数载流子是自由电子，所以N型半导体显示负电性。
866因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
867半导体电阻应变片在测量某一构件应变时，其电阻的相对变化主要是由（）引起。
868低压变频器指输入电源电压为110～1kV中、小容量的变频器，直接采用？（）等半导体元件可以实现变频。
869无论是导体还是半导体都适合做霍尔元件。
870半导体气敏元件由于表面吸附气体，会使它的电阻率发生明显的变化。
871《信息技术协议》包括的产品主要有（）
872半导体式传感器是（）。
873半导体应变片具有（）等优点
874（）传感器可用于医疗上-50℃～150℃之间的温度测量
875半导体的自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。
876半导体ROM是非易失性的，断电后仍然能保持记忆。
877半导体静态存储器SRAM的存储原理是依靠双稳态电路。
878企业准备采用控制图监控半导体的生产，每天统计报废产品数量，且每天产量变化，应使用的以下控制图是（）
879半导体ROM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆。
880半导体三极管是以PN结的单向导电性为作用原理，由三块半导体结合而成，因此具有（）PN结
881稳压管实质上也是一个半导体三极管。（）
882半导体三极管是放大电路中起电流（）作用的元件。
883半导体二极管最主要的特性是（）的特性。
884（）是一种融合了光学、化学、电子、半导体等科学的现代通讯手段。
885（）是一种融会了光学、化学、电子、半导体等科学的现代通讯手段。
886半导体存储器的主要技术指标有（）
887在测量实践中用得最多的激光器类型是（）。
888导体、半导体和绝缘体三者之间没有绝对界限。
889计算机网络技术涉及（）。
890计算机网络技术的核心是（）。
891计算机网络技术涉及：
892计算机网络技术涉及到（）。
893企业准备采用控制图监控半导体的生产，每天统计报废产品数量，且每天产量变化，应使用以下哪类控制图（）
894企业准备采用控制图监控半导体的生产，每天统计报废产品数量，且每天产量变化，应使用的以下控制图是（）。
895下列关于本征半导体的描述中，不正确的是（）
896以下关于本征半导体特性的描述中，正确的是（）
897下列关于P型半导体的描述中，正确的是（）
898（）属于“易失性”存储器件，它们中存储的信息在断电后将消失。
899在下列存储器中，速度最快的是（）
900硅、锗、硒等物体属于（）。
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