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半导体

701热敏电阻是利用（）制成的。
702微型计算机的内存储器采用的是（）
703导电性能介于导体和绝缘体之间的物体称为半导体。
704当今我国进口量最大的商品是（）
705在微电子领域，最早使用的衬底材料是（），应用最多的高频高速化合物半导体衬底是（），最普遍使用的半导体衬底材料是（）。
706利用半导体的（）特性可实现整流
707固体半导体摄像机所使用的摄像元件为电荷耦合器件，简称
708杂质半导体中的杂质离子也能参与导电。
709在本征半导体中掺入杂质，只是为了提高半导体的导电能力。
710由于N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
711没有注入杂质的半导体称为（）。
712由于含有受主杂质半导体的载流子为空穴，故掺有受主杂质的半导体也叫做（）。
713由于含有施主杂质半导体的载流子为电子，故掺有施主杂质的半导体也叫做（）。
714构成敏感陶瓷的主要物质属于（）
715半导体的性能与容量将以指数级增长，并且这种增长趋势将继续延续下去，这就是著名的（）。
716半导体只读存储器（ROM）与半导体随机存储器（RAM）的主要区别于（）
717太阳电池是利用半导体（）的半导体器件。
718测得某放大电路半导体三极管三个管脚对地电压为U1＝3V，U2＝8V，U3＝3.7V，则该三极管为（）
719工程上，可以采用下列措施防止绝缘子污闪（）。
720提高沿面闪络放电的方法有（）。
721光发射机的核心部件是（）。
722单位温度变化对电阻值影响最大的传感器是：
723太能电池板是利用半导体（）的半导体元件。
724电力二极管（PD），其本身并没有导通关断控制能力，属于不可控电力电子器件。电力二极管内部有P型、N型半导体，两种半导体互相结合形成PN结，请问PD有（）个PN结。
725下面有关材料导热的描述错误的是（）。
726下面有关pn结的说法错误的是（）。
727下面有关杂质半导体导电说法错误的是（）。
728对半导体进行掺杂，在锗半导体中掺入锑（五价）元素，则该半导体属于a；在硅半导体中用铝（三价）掺杂，则该半导体属于b。
729半导体发光二极管的特点以下哪些是错误的？
730半导体气体传感器是利用半导体气敏元件同气体接触，造成半导体发生变化，借此检测特定气体的成分或测量其浓度。
731企业准备采用控制图监控半导体的生产，每天统计报废产品数量，且每天产量变化，应使用以下哪类控制图（）。
732不能连续自动测定甲烷浓度的甲烷检测仪是（）甲烷检测仪。
733下列属于半导体存储器的是（）
734半导体三极管区掺杂浓度最高。
735半导体三极管的区面积最大。
736下列掺杂半导体属于n型半导体的是（）
737下列化合物半导体中，属于Ⅱ-Ⅵ型半导体的是（）
738半导体中的空穴带正电
739本征半导体温度升高后，两种载流子浓度不再相等
740自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体
741半导体中的空穴芾正电。（）
742目由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为PM半导体。（）
743下面不属于n型半导体的是（）
744半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间，硅和锗是最重要的两种半导体材料。
745Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。
746Ｎ型半导体的多数载流子是自由电子，因此Ｎ型半导体带负电。
747在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
748动态RAM和静态RAM都是易失性半导体存储器。
749半导体与绝缘体有十分类似的能带机构，只是半导体的禁带宽度要窄得多。
750半导体氧化物的能带由空带、满带和禁带组成。
751三极管的发射区和集电区是同类型半导体，因此，发射极和集电极是可以互换使用的。
752N型半导体可通过在纯净半导体掺入五（三）价元素而获得。
753陶瓷半导体的电阻率随着温度的升高而升高。
754单晶半导体的电阻率随着温度的开高而升高。
755单晶半导体的电阻率随着温度的升高而升高。
756半导体存储器（）的内容在掉电后不会丢失。
757构成内存储器的半导体存储部件RAM和ROM的特性
758P沟道场效应管由P型半导体组成。
759加入何种元素可形成N型半导体
760半导体电阻应变片工作原理是基于半导体材料的应变效应。
761影响放大电路高频特性的主要因素是（）。
762现代计算机主要用（）作为内存储器的存储介质。
763不含任何杂质和缺陷的理想半导体称为（）半导体。
764简并化半导体的主要特点是掺杂浓度很低。
765据工作物质的不同，普通激光器可以分为以下几类：（）、（）、（）和（）。
766空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
767电子数字式计算机的开关元件必须用半导体开关。
768半导体芯片应用的材料是（）。
769本征半导体中加入（）元素形成P型半导体。
770集成电路布图设计权的限制有哪些？
771半导体是一种导电能力介于（）与（）之间的物质。常用的半导体单晶材料是（）和（）。
772在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。
773本征半导体温度升高以后，（）。
774半导体的导电能力随着温度的升高而（）。
775半导体只读存储器（ROM）与半导体随机存储器（RAM）的主要区别在于（）。
776下列属于功能性产品的是（）
777P型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P型半导体带正电。
778P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。
779半导体二极管实质上就是一个（）结，它具有的特性是（）导电性。
780半导体三极管分为（）型和（）型两类。
781N型半导体主要靠自由电子来导电，P型半导体主要靠（）来导电。
782在本征半导体中掺入微量五价元素可得到（）型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到（）型杂质半导体。
783半导体二极管按其所使用的材料可分为（）管和（）管两类。
784半导体分为本征半导体和（）型半导体。
785本征半导体和杂质半导体中都存在（）现象，产生（），在外电场作用下可定向运动而形成微小的电流。
786半导体是一种其导电能力介于（）与（）之间的物质。
78780C51与8051的区别在于？
788半导体存储器芯片按照是否能够随机读写，分为RAM和ROM，其中（）是非易失性存储器。
789本征半导体中掺入微量（）价元素，自由电子浓度将大大增加，这种半导体称为N型半导体
790杂质半导体分为N型和P型，空穴是（）型半导体的少子，自由电子是（）型半导体的多子。
791对半导体言，其正确的说法是（）。
792常用的电阻应变片分为两大类：（）和（）。
793杂质半导体分为N型和P型，自由电子是（）型半导体的多子，空穴是（）型半导体的多子（）。
794本征半导体中掺入微量（）价元素，空穴浓度将大大增加，这种半导体称为P型半导体。
795半导体应变片最突出的优点是灵敏度高。
796按存储介质材料及器件的不同来分，可分为半导体存储器、（）和（）。
797计算机中的内存储器，通常采用（）。
798半导体二极管按（）可分为硅二极管和锗二极管两类。
799半导体的热敏特性，是指半导体的导电性能随温度的升高（）。
800关于半导体二极管，下列说法不正确的是（）
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