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电力电子技术
电力电子技术
801
可在第一和第四象限工作的变流电路是()
802
晶闸管变流装置的功率因数比较()
803
单相交流调压电路带阻感负载时,α<;φ时,以下说法不正确的是()。
804
交交变频电路与交直交变频电路相比较的优点在于
805
采用两组反并联晶闸管变流桥的可逆系统,供直流电动机四象限运行时,其中一组逆变器工作在整流状态,那么另一组就工作在逆变状态。
806
变频调速实际是改变电动机内旋转磁场的速度,达到改变输出转速的目的。
807
晶闸管变流装置会对电网电压波形产生畸变。
808
零开关pwm变换电路利用改变变换电路的()来调控输出电压和输出功率。
809
对于电压型SPWM逆变电路,改变()可改变逆变电路输出电压频率。
810
脉冲变压器传递的是()电压。
811
正弦波调制的三相PWM逆变电路,调制度a为1时,直流电压利用率为()。
812
提高电力电子装置的工作频率,可以使电力电子装置的体积和重量减小。
813
设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。
814
电压型逆变电路,为了反馈感性负载上的无功能量,必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。
815
晶闸管并联使用时,必须采取均压措施。
816
脉冲宽度调制PWM是一种相位控制方式。
817
电力电子器件的发展顺序正确的是()。
818
直流变交流的技术称为()。
819
采用电力电子装置的光源被称为()。
820
晶闸管电路的控制方式主要是()。
821
电力电子电路中,电力晶体管GTR工作在开关状态,即在放大区和饱和区两个状态之间切换。
822
晶闸管导通后,切断门极触发电流就可以使其关闭。
823
电力晶体管GTR属于()。
824
晶闸管实际承担的某正弦波形电流有效值为200A,不考虑安全裕量的情况下,其通态平均电流为()。
825
在实际选用晶闸管时,其额定电流要留有一定余量,一般取额定电流为晶闸管正常工作时通过电流的()。
826
电压驱动型器件共同特点是()。
827
工作频率最高的全控型器件是IGBT。
828
逆变角过小会造成有源逆变失败。
829
三相桥式整流电路中晶闸管的编号顺序是按其导通顺序编号的。
830
在三相桥式整流电路中,晶闸管VT1、VT3、VT5的触发脉冲相位各相差180度。
831
单相桥式全控整流中,感性负载中电感很大,当单相桥式全控桥的触发角为a时,其导通角为()。
832
单相电压型逆变电路可采用移相控制方式调节输出电压的幅值。
833
关于换流方式,下列说法错误的是()。
834
IGBT的换流方式为()。
835
电流型逆变电路中间直流侧缓冲无功能量用的储能元件是()。
836
三相电压型桥式逆变电路的换流方式为()。
837
由于电力电子器件起开关作用,故电压型逆变电路中与主电路开关器件并联的()的作用就是当开关截止时给交流侧向直流侧反馈无功能量提供通路的。
838
升降压斩波电路负载电压极性与电源电压极性相反,且电源电流和负载电流都连续。
839
直接DC-DC变换电路的控制方式有()。
840
以下关于降压斩波电路说法不正确的是()。
841
升压斩波电路之所以能使输出电压高于电源电压,关键原因是()。
842
采用结构复杂的带隔离的电路来实现直流-直流变换的原因是()。
843
电感的伏秒平衡法则是当电路工作于稳态时,一个周期内的电感储存的能量与释放的能量相等。
844
电炉的控制通常采用交流调功控制。
845
在交流-交流电路中,电子开关起接通和断开电路的作用,有触点,响应速度快。
846
交流调压常用于灯光控制(如调光台灯和舞台灯光控制)中。
847
在交流-交流变流电路中,交流调压电路带阻感负载(阻抗角为Ф)时,触发角的移相范围为()。
848
在三相交流调压电路中,当三相的每一相都各有一个开关管导通时,负载的相电压是()。
849
交-交变频电路中,采用6脉波三相桥式电路时,当电网频率为50Hz时,交-交变频电路的输出上限频率约为20Hz。
850
矩阵式变频电路的输出输入电压比值最大为0866。
851
鞍形波经PWM调制后逆变电路输出的线电压中不含三次谐波。
852
PWM波输出电压的半个周期内开关器件开通和关断各k次,则可以消去(k-1)个频率的指定谐波。
853
单相桥式PWM逆变电路,单极性和双极性控制方式输出电压波形分别有几种电平。
854
有关滞环比较方式的电流跟踪技术,下面说法错误的是()。
855
实用的PWM逆变电路大多都是()电路。
856
下列不属于SPWM波形的生成方法的是()。
857
控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术,即通过对一系列脉冲的宽度进行调制,来等效地获得所需要波形(含形状和幅值)。
858
基于面积等效原理,正弦交流波形可以等效成等幅不等宽的PWM波形。()。
859
电力电子器件的保护有过电压保护、过电流保护、di/dt抑制电路和du/dt抑制电路。
860
两个以上晶闸管串联使用,是为了解决自身额定电压偏低,不能胜用电路电压要求,而采取的一种解决方法,但必须采取均压措施。
861
同时需要串联和并联晶闸管时,通常采用先并后串的方法。
862
使电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取()。
863
快速熔断器可以用于短路电流保护。
864
采用开关并联缓冲电路的目的是()。
865
电力电子技术是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。()
866
电力变换通常分为四大类:交流-直流变换、直流-交流变换、直流-直流变换和交流-交流变换。()
867
电力二极管的主要参数有正向平均电流、正向压降和反向重复峰值电压。()
868
晶闸管属于半控型器件。()
869
晶闸管是四层的PNPN结构。()
870
在晶闸管的铭牌上,额定电压是以电压等级的形式给出的。()
871
整流二极管、晶闸管及可关断晶闸管均属于半控型器件。()
872
当晶闸管承受正向阳极电压,门极加上正向触发电压,晶闸管导通。()
873
当晶闸管承受正向阳极电压,门极加上反向触发电压,晶闸管不导通。()
874
把晶闸管从承受正向阳极电压起到受触发脉冲触发而导通之间的电角度称为触发延迟角,也称为移相角。()
875
触发延迟角用θ表示,导通角用α表示。()
876
单相桥式半控整流电路α的移相范围为0~180度。()
877
三相半波可控整流电路的电源由三相整流变压器供电,也可直接由三相四线制交流电网供电。()
878
U、V、W三相电相电压正半波的相邻交点,称为自然换相点。()
879
理想情况下,晶闸管导通期间,管压降约等于零。()
880
三相半波可控电阻性负载电路,当α=60°时,整流电路输出电压的波形处于连续和断续的临界状态。()
881
三相可控整流电路中,改变对晶闸管施加脉冲的时间,不能改变整流电路输出电压的波形。()
882
三相半波可控整流电阻性负载电路α的取值范围为0~150度。()
883
三相全控桥式整流电阻性负载电路实质上是由一组共阴极组与一组共阳极组的三相半波整流电路相串联构成的。()
884
三相全控桥式整流电感性负载电路α大于60°时,整流电路输出电压的波形出现负面积。()
885
三相半控桥式整流电阻性负载电路和电感性负载电路的整流输出电压波形相同。()
886
三相半控桥式整流电路只用了3个晶闸管,只需3套触发电路。()
887
门极可关断晶闸管是通过门极对器件的导通和关断状态进行控制的,是属于全控型电力电子器件。()
888
GTO具有四层的PNPN结构。()
889
电力晶体管GTR属于双极型器件,电力场效应管属于单极型器件。()
890
IGBT有三个电极,分别为基极B、集电极C和发射极E。()
891
电力场效应管的三个电极分别为源极、漏极和栅极。()
892
电力晶体管GTR存在二次击穿的问题。()
893
电力场效应管MOSFET不存在二次击穿的问题。()
894
改变开关管VT在一个开关周期中的导通时间TS,即改变导通占空比D,即可改变电压比M。()
895
门极可关断晶闸管由通态转入断态的必要条件是门极加上足够大的反向脉冲电流。()
896
在分析晶闸管三相有源逆变电路的波形时,逆变角的大小是从自然换相点开始向左计算的。()
897
实现有源逆变的条件是:α小于90度,且Eud。()
898
在整流状态下,udE,电机工作在电动状态下。()
899
在逆变状态下,Eud,电机工作在发电制动状态下。()
900
有源逆变是整流的逆过程,不同条件下,两种过程可以用同一套变流电路来实现,能量的传递方向相同。()
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