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自由电子

1电路闭合时，所施加的电压使导体和用电器的所有自由电子同时朝一个方向移动。每个时间单位内流动的电子（电荷载体）数量就是（）。
2N型半导体中自由电子是少数载流子。（）
3一般无机非金属材料导热系数低于金属材料的原因是（）
4平时金属内自由电子运动的方向杂乱无章，但接上电池以后，它们就会做定向移动，电荷的定向移动形成（）
5自由电子在电场力的作用下的定向移动称为（）。
6影响金属材料热容的因素主要有两个：（）和（）。
7影响金属材料热容的因素主要有两个：（）和（）。（）
8金属中（）参与导电。
9通常的电场作用下，参与导电的自由电子是（）自由电子。
10N型半导体中的多数载流子是（），而P型半导体中的多数载流子是（）。
11在N型半导体中参与导电的多数载流子是自由电子。
12本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。
13半导体本征激发会成对产生（）。
14杂质半导体中，存在自由电子和空穴两种带电粒子。
15N型半导体因为其多子是自由电子，所以它带负电。
16本征激发会成对产生自由电子和空穴。
17因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）
18本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。（）
19P沟道增强型MOSFET导通时，参与导电的载流子主要是（）；N沟道耗尽型MOSFET导通时，参与导电的载流子主要是（）。
20自由电子在电场力作用下产生的定向运动的平均速度叫漂移速度。
21金属自由电子气理论能解释金属的传热性。
22下列关于金属键的说法正确的是（）
23两种不同导体接点处产生的热电动势数值的大小取决于两种导体的（）和（）。
24固体中的导热主要是由晶格振动的格波和（）来实现的。
25由于N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）
26氧化铬的缺陷是氧阴离子空位和自由电子。
27在本征半导体中，本征激发产生的载流子是（）
28波长为6626埃的光子和自由电子，两者能量比为（）
29金刚石中所有价电子都参与成键，晶体中没有自由电子。
30因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
31热电偶的热电势是由热电极里自由电子的扩散所形成的。
32对于二维正方格子，第一布里渊区角上π/a(1,1)的自由电子动能是区边中心点π/a(1,0)的几倍（）
33霍尔系数只与金属中的（）有关。
34量子自由电子学说认为自由电子的行为服从（）
35Na的密度1013g/cm3，原子量为2299，计算Na在0K时自由电子的平均能量（）
36挣脱了原子核的束缚，并从原子中逃离出来的粒子称为（）
37在金属中的导电粒子是（）
38掺杂半导体中掺入5价元素的是半导体，这种半导体中多子是（）。
39电流是指导体内自由电子在外场作用下有宏观移动。（）
40感生电动势产生的本质原因是（）。
41自由电子在半导体材料内部带负电荷。
42P型半导体中的多子为（）。
43当温度升高时，可激发出两种载流子，分别是，（）。
44N型半导体是加入了价元素，多数载流子是。P型半导体是加入了价元素，少数载流子是（）。
45双极型三级管NPN或PNP管，它的载流子是自由电子和空穴两种，除了（）的运动参与导电外，（）也运动参与导电，因此称作双极型三极管。
46N型半导体的多子是（）。
47N型半导体中的自由电子属于（）载流子。
48当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）
49当N型气敏元件，其半导体功函数大于被吸附分子的离解能时，半导体自由电子数量（），其电阻值（）
50本征半导体温度升高以后，（）
51P型半导体的多数载流子是：
52半导体内的载流子是（）。
53如图所示，一段长为L的导体水平放置，若导体单位体积内有n个自由电子，电子的电荷量为e，定向移动速度为v、导体横截面积为S。下面说法不正确的是（）
54能量为100ev的自由电子的德布罗意波长为（）
55一铜棒的横截面积为20mm×80mm，长为2m，两端的电势差为50mV。已知铜的电阻率为，铜内自由电子的数密度为，则棒所消耗的功率为（）。
56在P型半导体中（）。
57电阻热噪声是由电阻内部的自由电子自由运动产生的（）。
58断路器触头间在开断是产生的电弧，弧柱中自由电子从（）来
59半导体中传导电流的载流子是（）。
60原子中壳层电子吸收足够的能量脱离原子核的束缚变为自由电子的过程称为（）
61本征半导体在绝对零度时（）
62在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
63当温度下降时，N型半导体的导电性能将会（）。
64在PN结形成过程中，载流子扩散运动是（）作用下产生的，漂移运动是（）作用下产生的。
65一个自由电子具有10eV能量，质量为g，电子的波长是多少？（）
66狄拉克从描述自由电子运动的方程中，得出正负对的两个能量解。这属于（）
67N型半导体其多数载流子是（），P型半导体其多数载流子是（）。
68NPN型晶体管处于放大状态时，由发射区注入基区的自由电子绝大多数被复合。
69由于N型半导体中存在大量自由电子，故N型半导体会带负电。
70不被约束的原子内部的电子是？
71只能在原子范围内做微小位移的电荷是？
72下列不属于自由电荷的是？
73下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）。
74P型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子。（）
75P型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子。
76自由电子和空穴都称为载流子，在本征半导体中自由电子和空穴总是分开出现，同时又不断复合。（）
77P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度A大于B小于C等于D大于或等于
78N型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度A大于B小于C等于D大于或等于
79N型半导体中，自由电子的数目和空穴的数目（）。
80固体的导热机制有：（）。
81在非金属材料导热过程中，温度不太高时，主要考虑（）的作用。
82产生X射线的条件为（）
83因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
84在P型半导体中，当温度升高时，自由电子浓度会增加，而空穴浓度保持不变。
85N型半导体中的多数载流子是（）。
86金属铜中准自由电子气体的质量等于真空中自由电子气体的质量。
87关于静电场中的导体，描述正确的是：
88半导体的导电机理是当外部加电场时，载流子即（）在电场的作用下定向移动，形成电流。
89当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）。
90关于金属导体的以下说法中正确的是（）
91能量为100ev的自由电子的DeBroglie波长是
92一个简单立方晶格在第一布里渊区顶角上的一个自由电子动能是该区面心上的自由电子动能的（）倍。
93作为固体能带论基础的三个基本近似是（）近似、（）近似和（）近似。
94（）建立了量子自由电子论。
95简述开关电弧产生过程。
96半导体中PN结的形成主要是由于（）生产的。
97热电偶产生的热电势中的接触电势和温差电势由（）产生。
98P型半导体的多数载流子是
99关于N型半导体，下面说法正确的有（）。
100半导体中对导电性能起到主要作用的是（）。
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