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模拟电子技术基础

301以下关于BJT放大电路在线性放大区的静态工作点位置的说法，错误的是（）。
302多级放大电路的级间耦合方式中（）有利于各级静态工作点的相互独立。
303下列关于BJT构造的说法中，错误的有（）。
304BJT的输出特性曲线分三个区，它们是（）。
305对于阻容耦合的BJT基本放大电路而言，下列说法中正确的有（）。
306划分BJT输出特性曲线上的安全工作区域，需要考虑的因素有（）。
307二极管中，由正、负离子组成的区域称为（）。
308正向偏置的二极管（）。
309下列关于BJT在放大电路中的联接方式的说法中，正确的有（）
310PN结上的扩散电流是由半导体通过掺杂得到的载流子定向移动引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小，与其它因素无关。
311稳压二极管反向击穿时的反向电流在允许范围内越大，动态电阻越小，稳压性能越好。
312为了使射极偏置电路在稳定静态工作点的同时，电压增益不明显减小，通常在射极偏置电阻Re两端并联大小合适的电容，又称旁路电容。
313三种组态的放大电路中，共集电极放大电路的输出电阻最小，故其带负载能力最弱。
314三种组态的放大电路均具有功率放大能力。
315多级放大电路中，后级电路的输入电阻可视为前级电路的负载。
316图解法分析共源组态的场效应管放大电路工作性能时，需要用到的特性曲线有输入特性曲线、转移特性曲线和输出特性曲线。
317齐纳二极管、变容二极管和光电二极管一般需要外加反向偏置电压才能正常工作。
318稳压二极管在正常工作时外加反偏电压，使得PN结处于反偏状态，电流很小，所以无需串联限流电阻。
319BJT的基区多子类型，与相邻的集电区、发射区多子类型相反，发射结与集电结的联接可等效为两个背靠背的二极管串联。
320基极分压式射极偏置电路中，发射极偏置电阻的作用是稳定静态工作点；这个偏置电阻的引入一定会使电路的开路电压增益变小。
321不同组态的放大电路中的三极管，具有不同的小信号模型。
322三种组态的放大电路均具有电流放大能力。
323三种组态的放大电路均具有电压放大能力。
324为了更好的发挥电流放大的能力，放大电路应该有较大的短路电流增益、较小的输入电阻、较大的输出电阻。
325为了更好的发挥电压放大的能力，放大电路应该有较大的短路电压增益、较大的输入电阻、较小的输出电阻。
326已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为05 mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd =（）。
327在一定的温度下，如果增加杂质半导体的掺杂浓度，则少子的浓度将会（）。
328MOSFET利用（）电压控制（）电流的大小，是（）器件。
329当N沟道增强型MOSFET的栅源电压大于开启电压，栅漏电压小于开启电压时，管子工作在（）区。
330P沟道增强型MOSFET导通时，参与导电的载流子主要是（）；N沟道耗尽型MOSFET导通时，参与导电的载流子主要是（）。
331当BJT三极管的发射结和集电结都反偏时，管子的工作状态是什么？（）
332处于放大状态的PNP三极管，其三个电极的电位关系应为（）。
333处于放大状态的NPN三极管，其三个电极的电位关系应为（）。
334P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是（）
335当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流
336MOSFET用于放大时，工作在（）。
337UGS=0时，不能工作在恒流区的场效应管是（）。
338三极管参数为PCM=800?mW， ICM=100?mA，UBR(CEO)=30?V，在下列几种情况中，能够正常工作的有（）。
339关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法中正确的是（）。
340下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有（）。
341与BJT相比，MOSFET具有哪些特点？（）
342下列参数中，属于增强型MOSFET的参数有（）。
343作为放大器件使用时，NPN型BJT只能在正电源电压下工作，而PNP型BJT只能在负电源电压下工作。
344已知MOS管的开启电压为VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
345P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
346N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
347增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零
348作为放大器件工作时，N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
349BJT的集电极电流IC=2mA，电流放大系数β=100，忽略基区体电阻rbb，则BJT的小信号模型参数rbe≈（）kΩ。
350N沟道增强型的MOSFET的栅源电压UGS=2V，电导常数Kn=1mA/V^2，开启电压UGS(th)=1V，则管子的低频跨导gm等于（）mS。
351某BJT三极管工作在放大区，当基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从2mA变化到4mA，则管子的电流放大系数 β约等于（）。
352下列场效应管中，在栅源电压UGS=0时不存在导电沟道的是（）。
353MOSFET利用（）控制（），是（）器件。
354N沟道增强型MOSFET的开启电压为（）；P沟道增强型MOSFET的开启电压为（）。
355已知N沟道增强型MOSFET的开启电压为UGS(th)=1V，若管子的偏置电压为UGS=2V，UDS=3V，则可以判断该管子工作在（）区。
356关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法正确的是（）。
357MOSFET只有一种载流子参与导电，所以称为单极型三极管。
358当MOSFET工作在饱和区时，它的导电沟道是连续的（沟道没有夹断区）。
359MOSFET作为放大器件使用时，外加的直流偏置应使其工作在可变电阻区。
360MOSFET作为开关器件使用时，工作在可变电阻或截止区。
361以下四种放大电路中，输入电阻小，适于高频、宽带电路的是（）。
362以下四种放大电路中，管端输入电阻最大的是（）。
363基本放大电路根据性能特点可以分为三类：反相放大器、电压跟随器和电流跟随器。其中电压跟随器包括（）。
364有一个两级的放大电路，考虑负载效应后，第一级的电压增益为20dB，第二级的电压增益为40dB，则两级放大电路总的电压增益为（）。
365当需要传送和放大频率很低的信号时，多级放大电路应采用（）耦合方式。
366已知MOSFET放大电路的电压增益为-30倍，则该电路可能是（）。
367拟用MOSFET设计一个三级的同相电压放大电路，要求从信号源索取的电流小，带负载能力强，电压放大倍数足够大。则输入级应选用（）；中间级选用（）；输出级选用（）。
368关于多级放大电路，以下说法中正确的是（）。
369以下放大电路中，既能放大电压也能放大电流的电路有（）。
370放大电路的静态工作点不会影响电路的动态指标。
371对于电压放大器，为了提高电路的带负载能力，要求输出电阻尽可能小。
372负载电阻越大，电路的输出电阻越大。
373对于电流放大器，为了提高电路的带负载能力，要求输出电阻尽可能小。
374以下各种组态放大电路中，输入电阻小，适于高频、宽带电路的是（）。
375以下各种组态放大电路中，通常输入阻抗最大的是（）。
376有一个两级的放大电路，考虑负载效应后，第一级的电压增益为20dB，第二级的电压增益为40dB，则总的电压增益为（）分贝。
377用两个性能完全相同的放大电路级联构成两级的放大器，已知单级放大电路的开路电压增益为40dB，输入电阻为3k欧姆，输出电阻为1k欧姆，则级联后放大器总的开路电压增益为（）倍。
378在三级的BJT放大电路中，已知Au1=20，Au2=-10，Au3=1，则对应的三级放大电路应该分别是（）。
379关于多级放大电路，以下说法中错误的是（）。
380造成放大电路静态工作点不稳定的原因有（）。
381为了有效提高单管共射放大电路的电压增益，可以采用以下哪些办法来实现？（）。
382放大电路的静态工作点不会影响电路的动态指标
383当输入信号较小时，在保证不产生截止失真和具有足够电压增益的前提下，为了降低电路功耗，可以把静态工作点设置得低一些。
384FET放大电路的三种基本组态中，只有共源放大电路具有电压放大作用。
385增大放大电路的电源电压，可以增大放大电路的动态范围。
386关于恒流源电路，下面的说法中错误的是（）。
387已知差动放大电路两输入端电压分别为vi1=250mV，vi2= 50mV，则差模输入电压vid和共模输入电压vic分别为（）。
388和其他电路相比，差动放大电路的最主要特点是（）。
389直接耦合多级放大电路中，零点漂移影响最严重的是（）。
390放大器产生零点漂移的原因有（）。
391在集成运放中，恒流源电路常常用来（）。
392阻容耦合的多级放大电路，零点漂移问题不严重。
393解决零点漂移问题是设计直接耦合放大电路的一项主要任务。
394在集成电路中，用恒流源作为放大器的有源负载，可以极大的提高电路的增益。
395当差分式放大电路两输入端电压为vi1=250mV，vi2= 150mV，则vid=（）mV，vic=（）mV。
396双端输出的理想差分放大电路，已知|Avd | = 40，|Avc | = 0。若vi1=20mV，vi2= -5mV 。则|vo |为（）mV。
397对于双端输出的差分放电路，当电路理想对称时，共模电压增益Auc是（），共模抑制比KCMR是（）。
398设在差分式放大电路中输入信号为vi1=1050uV，vi2=950uV，若电路的| Avd | = 100，| Avc | = 2。则最大输出电压| vo|=（）。
399集成运放的输出级通常采用（）。
400以下四种功率放大电路中，转换效率最高的是（）。
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