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电子技术基础模拟电子技术

101晶体管的静态工作点Q非常重要，只有当Q点处于放大区时，管子才具有放大能力。
102晶体管发射结正偏导通时，工作状态有（）和（）两种可能。
103NPN型硅晶体管工作于饱和状态时，集射之间的电压近似等于（）。
104晶体管做为开关电路使用时，是工作在放大状态。
105当输入为（）时，可利用H参数小信号模型对放大电路进行交流分析。
106图解分析法的缺点是分析问题的过程比较复杂，对小信号而言，作图的精度低。
107在工程分析中，通常先用工程近似法进行静态分析，再用小信号模型分析法进行动态分析。
108当栅源电压为0时，（）管不可能工作在恒流区。
109场效应管从结构上可分为两大类，即（）和（）。
110EMOS管存在导电沟道时，栅源电压必定大于零。
111对于MOSFET，根据栅源电压为0时是否存在导电沟道，可分为（）场效应管和（）场效应管。
112饱和漏极电流是增强型管的参数。
113从对沟道的影响来讲，开启电压和夹断电压属于同一种参数。
114低频跨导是指静态工作点处漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。
115跨导是一个与工作点无关的物理量。
116场效应管的耗散功率大小受到管子最高工作温度的限制。
117JFET外加的栅源电压应使栅源间的PN结（），目的是使得输入电阻（）。
118静态工作点的分析可以采用小信号模型。
119场效应管电路的分析方法与晶体管电路的分析方法相类似，也是先静态分析，后动态分析。
120某NPN管电路中，测得BE之间的电压为0V，BC之间电压为-2V，则可知该晶体管工作于（）状态。
121在下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。
122输入（）时，可用H参数小信号模型对放大电路进行交流分析。
123具有不同的低频小信号模型。
124当GS之间的电压为0时，（）管不可能工作在恒流区。
125工作在放大区的某三极管，如果当IB从12uA增大到22uA时，IC从lmA变为2mA，那么它的β约为（）。
126晶体管处于放大状态时，下列的正确说法是（）。
127晶体管处于饱和状态时，要求（）。
128晶体管截止时，两个PN结的偏置关系是（）。
129对小功率NPN硅管处于放大区时，（）。
130对增强型MOS管，只有在栅源电压绝对值大于（）后，才会形成导电沟道。
131利用晶体管的开关特性可构成开关电路，这时管子工作在（）。
132根据结构的不同，场效应管的类型通常分为（）种。
133晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏导通，集电结反偏。。
134晶体管处于截止区的条件是发射结反偏或零偏，集电结反偏。。
135晶体管输出特性通常分为三个区域，它们是可变电阻区，饱和区和截止区。
136当温度升高时，晶体管的电流放大系数将变小。
137当温度升高时，晶体管的反向饱和电流将减小。
138场效应管是利用栅源电压改变导电沟道的宽窄来实现对漏极电流控制的。
139场效应管属于电流型控制型器件。
140晶体管主要作用是不失真地放大电压信号，为保证这一点，选择一个合适的静态工作点非常重要。
141可以采用小信号模型进行静态工作点的分析。
142场效应管的重要特性之一是具有很高的输入阻抗。
143JFET外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
144场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。
145场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用，但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。
146FET工作时只有一种载流子参与导电，这就是电子。
147FET全夹断时，没有导电沟道，但仍有电流通过。
148当温度升高时，晶体管导通电压增加。
149场效应管的放大区也就是饱和区。
150晶体管要求有合适的静态工作点，目的是使管子在信号变化范围内近似线性工作。
151在分析晶体管放大电路时，通常先估算静态工作点和rbe，然后用小信号等效电路法进行交流分析。
152晶体管画交流通路的关键之一是将电容断路。
153晶体管画直流通路的关键是：(1)将大电容视为短路；(2)直流电压源视为短路。
154开启电压是是耗尽型场效应管夹断导电沟道所需的栅源电压。
155开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。
156低频跨导是指静态工作点处漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微变量之比。
157集电极功耗若超过集电极最大允许功耗，管子性能将变坏，甚至过热烧坏。
158集电极电流若超过最大允许电流，电流放大系数将明显下降，但不一定损坏管子，但若电流过大，则会烧坏管子。
159晶体管的小信号模型也称为H参数简化小信号模型、小信号等效电路或微变等效电路。
160某放大电路，负载开路时输出电压为3V，接入2kΩ负载时输出电压为2V，则输出电阻为（）kΩ。
161某放大电路，信号源内阻为150Ω，信号源电压为20ｍＶ，输入电压为16ｍＶ，则输入电阻为（）Ω。
162变压器可以将电压变大，它也是一种放大电路。
163频率失真是由线性的电抗元件引起的，它不会产生新的频率分量，属于线性失真。
164已知放大电路的｜Au｜＝100，则电压增益为（）dB。
165电容耦合分压式电流负反馈共射极放大电路中，欲减小UCEQ，可以（）。
166分压式电流负反馈共射极放大电路中，要提高工作点的稳定性，可以（）。
167放大电路的静态工作点根据（）通路进行估算。
168电容耦合分压式电流负反馈共射极放大电路中，欲提高电压放大倍数，可以（）。
169共射极放大电路的性能特点是（）。
170分压式电流负反馈共射极放大电路中，输出电阻Rｏ＝RＣ∥RＬ。
171为使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入（）放大电路。
172共集电极放大电路的性能特点有（）。
173共基极放大电路的性能特点有（）。
174共集电极放大电路又称为射极跟随器
175共源极场效应管放大电路的性能特点有（）。
176场效应管放大电路的偏置电路都可以采用自给偏压电路。
177共漏极场效应管放大电路的电压放大倍数小于1。
1783（1）随堂测验
179选用差分放大电路的主要原因是（）。
180差分放大电路中RE电阻的作用是（）。
181差分放大电路对（）信号具有放大作用，对（）信号具有很强的抑制作用。差分放大电路的零漂很（）。（答案之间用逗号隔开）
182某差分放大电路的两个输入端电压分别为ui1＝40mV，ui2＝10mV，则该电路的差模输入电压uid为（）mV，共模输入电压uic为（）mV。（答案之间用逗号隔开）
183对电流源而言，下列说法不正确的为（）。
184把长尾式差分放大电路中的发射极公共电阻RE改为电流源可以（）。
185差分放大电路中，可以用电流源代替RE电阻是因为电流源的内阻很大。
186差分放大电路由双端输出改为单端输出，则差模电压放大倍数（）。
187空载时，差分放大电路单端输入的电压放大倍数变为双端输入时的一半。
188差分放大电路双端输出时，主要靠发射极公共电阻的负反馈作用来抑制温漂。
189单端输出的具有电流源的差分放大电路，主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。
190把放大电路分为甲类、乙类、甲乙类是根据晶体管在一个信号周期内的（）来区分的。
191功率放大电路、共射极放大电路、射极输出器的共同点是：（）
192功率放大器主要要求输出功率大，所以输出功率越大越好。
193OCL电路的最大管耗发生在（）。
194功率放大电路的效率是指最大不失真输出功率与直流电源所提供的平均功率之比。
195乙类互补对称功放在输出不失真情况下，输入信号越大，则输出功率越大，效率越高。
196OCL电路中最大不失真输出功率Pom≈V2CC/2RL，说明Pom与管子参数和输入信号无关。
197输出功率为10W的乙类OCL电路，所选用晶体管的额定管耗至少为（）W。
198在OTL功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的最大集电极功耗约为（）。
199OTL电路输出端必须串接大容量的电容器，它起到将单电源功放电路等效为双电源功放电路的作用。
200直接耦合放大电路不能放大（）。
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