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电子技术基础模拟电子技术

1本征半导体中，若掺入的是（）价元素，则形成N型半导体。
2在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
3在绝对零度且无光照射时，本征半导体中没有价电子能够摆脱共价键的束缚。
4杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
5在本片半导体中如果掺入的是三价微量元素，则形成N型半导体。
6少子是由本征激发所产生的，所以对光照和温度敏感。
7硅二极管正常工作时，反向电流很小，且其大小随反向电压的增大而（）。
8PN结是由于漂移运动所形成的。
9空间电荷区由不能移动的杂质离子所构成的。
10对于面接触型的二极管，下列说法正确的是（）。
11点接触型二极管适合于低频、小电流情况下使用。
12当二极管用于大电流工作时，要求PN结的结面积大。
13当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。
14当温度升高时，二极管正反向特性曲线的特点是（）。
15锗管反向电流比硅管反向电流小得多。
16二极管的最高反向工作电压，通常规定为（）。
17当工作频率过高时，二极管将失去单向导电性。
18二极管如果超过最大整流电流，就一定会烧坏。
19二极管导通后对大信号所呈现的电阻，称为二极管的（）。
20二极管的模型主要有理想模型、恒压降模型和小信号模型。
21在同时含有直流电源和小信号交变源的电路中，电流或电压的总量约等于静态量与动态量的叠加。
22当二极管回路电源电压较低时，采用（）模型比较合理。
23二极管的直流电阻、导通电阻和交流电阻是三个不同的概念。
24用模拟指针式万用表的电阻挡测量二极管正向电阻时，不同量程挡测得的正向电阻值是相同的。
25对于既有直流电源又有小信号源的电路，应先采用恒压降模型估算工作点，再用小信号模型进行动态分析。
26只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
27利用二极管的正向特性也可以实现稳压。
28正常情况下，稳压二极管工作在反向击穿区。
29光电二极管工作时需要加（）偏置电压，工作于（）状态。
30发光二极管（）导通时发光，工作电流的典型值为（）。
31光电二极管的光电流随光照强度的增大而上升。
32肖特基二极管的导通电压（），大约为（）。
33变容二极管在电路中的主要作用是（）。
34发光二极管是一种通以正向电流会发光的二极管，使用时应加正偏电压，且串接合适的限流电阻。
35半导体本征激发会成对产生（）。
36ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流（）。
37ＰＮ结外加正向电压时，耗尽层（）。
38在室温27度时，硅二极管的死区电压大约为（）V。
39在室温27度时，锗二极管的死区电压大约为（）V。
40二极管反向饱和电流随着温度的升高而（）。
41发光二极管正常工作时需要施加（）偏置电压。
42半导体器件对（）敏感，这会导致器件性能的不稳定。
43硅管的反向电流比锗管的反向电流（），因此硅管的单向导电性和温度稳定性（）。
44如果把一个二极管直接同一个电动势为15V、内阻为0的电池正向连接，则该管（）。
45锗二极管的开启电压为（）。
46当未加外部电压时，PN结中的电流（）。
47PN结形成后，空间电荷区由（）组成。
48流过二极管的正向电流增大时，其直流电阻将（）。
49在下列二极管中，需要正偏工作的是（）。
50二极管整流电路的作用，是将正弦电压变成（）。
51半导体二极管正向偏置，处在正常工作状态，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小。
52光电二极管正常工作时需要施加反向偏置电压。
53在P型半导体中掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。
54杂质半导体中，存在自由电子和空穴两种带电粒子。
55杂质离子不能移动，因此不是载流子。
56N型半导体因为其多子是自由电子，所以它带负电。
57二极管稳压电路一般由稳压二极管(反向接法)和负载并联而得到，并应接有合适的降压电阻。
58肖特基二极管导通电压比普通二极管低。
59发光二极管反向击穿电压一般大于5V，为安全起见，一般工作在5V以下。
60光电二极管反向电流随光照强度增加而上升。
61稳压二极管工作在反向击穿区，但属于电击穿。
62工程中分析包含有二极管的电路，多采用恒压降模型进行静态分析，再用小信号模型进行动态分析。
63对包含多个二极管的电路进行分析时，要注意优先导通的管子会对其它管的工作状态产生影响。
64理想二极管等效为一个理想压控开关，正偏时开关合上，反偏时开关断开。
65二极管的伏安特性受温度影响较大，当温度升高时，正向特性曲线向右移，反向特性曲线向上移。
66热击穿是可逆的，电击穿是不可逆的。
67PN结两侧的电位差称为内建电位差，也叫接触电位差。
68对小信号而言，二极管的伏安关系呈线性，因此可以用一个电阻来等效。
69只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用
70本征激发会成对产生自由电子和空穴。
71纯净的半导体称为本征半导体。
72N型半导体的多数载流子是电子。
73P型半导体中的多数载流子是空穴。
74当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结。
75纯净且无杂质的半导体称为（）。
76P型半导体中的多数载流子是（）。
77N型半导体的多数载流子是（）。
78当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个（）。
79半导体二极管的最重要的特点是具有（）。
80变容二极管是一个非线性电容，电容量随反向电压增加而（）。
81用万用表电阻挡测试二极管时，若正向电阻远（）于反向电阻，说明二极管性能较好。
82用万用表电阻挡测试二极管，其正、反向电阻均为零，说明二极管内部已（）。
83稳压二极管是利用二极管的（）特性实现稳压。
84光电二极管工作时需加（）偏置电压。
85稳压管使用时应串接（），以保证反向电流不超过最大允许电流，避免热击穿。
86晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度（），基区的特点是区域很薄，掺杂浓度（），集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。
87在晶体管的图形符号中，NPN管发射电流方向是（）的，PNP管的发射电流方向是（）的。
88晶体管的图形符号中，箭头指示了发射极位置及发射结正偏时发射极电流的方向
89晶体管具有电流大作用的外部条件是，发射结（），集电结（）。
90晶体管截止的条件是，发射结（），集电结（）。
91晶体管工作于饱和状态时，集、射之间相当于开路。
92对于硅三极管，死区电压约为（），对于锗三极管，死区电压约为（）。
93硅三极管的导通电压通常取为（）。
94温度升高时，晶体管的导通电压（），电流放大系数（）。
95穿透电流随温度的上升而（），这时晶体管的温度稳定性（）。
96集电极的功耗如果超过了最大允许功率损耗，则晶体管的性能将变坏，甚至过热烧坏。
97当晶体管工作于放大状态时，直流放大系数与交流放大系数基本相等。
98晶体管直流电路的分析方法主要有（）。
99在工程近似法中，对于硅二极管，其导通电压可用02V表示。
100晶体管输出端外电路的伏安特性方程，也称为晶体管的输出电路的直流负载方程。
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