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MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。

MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。
A.正确
B.错误
正确答案：B

标签：半导体技术导论栅极电容

上一条：MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。

下一条：BJT可用于恒定电流源的设计。