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半导体技术导论
半导体技术导论
1
现代电子器件大多是基于半导体材料制备的？
2
p型硅掺杂IV族元素，n型硅掺杂III族元素。
3
半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。
4
以能带隙种类区分，硅属于直接能带隙半导体。
5
以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型？
6
从能级角度上看，导体就是禁带宽度很小的半导体。
7
半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。
8
在半导体中的空穴流动就是电子流动。
9
通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。
10
温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？
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通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低。
12
通常情况下，pn结p区和n区的半导体材料不相同。
13
pn结加反偏压时，总电流为0。
14
平衡状态下pn结的能带图中，p区和n区的费米能级是分开的。
15
金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
16
欧姆接触也称为整流接触。
17
通常，超晶格结构是基于异质结设计的。
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n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。
19
MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。
20
MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。
21
BJT可用于恒定电流源的设计。
22
太阳能电池可以吸收太阳光的所有能量。
23
VOC是指短路电压。
24
太阳能电池上表面的电极会遮挡电池吸收的阳光。
25
以下几种太阳能电池中，效率最高的是（）？
26
半导体光探测器本质是一个pn结，这类器件工作在pn结电流电压特性曲线的第（）象限？
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对于同种半导体材料，通常PIN型光探测器的灵敏度要高于APD光探测器。
28
光探测器设计的标准是：半导体材料的禁带宽度只要高于被探测光能量即可。
29
以下哪种LED量产最晚？
30
LED的寿命通常比白炽灯长。
31
半导体激光器中没有谐振腔结构。
32
摩尔定律是指集成电路的集成度每12个月提升一倍。
33
早期的半导体公司大多成立于美国的硅谷。
34
目前半导体产业分工越来越细，主要是由于技术越来越复杂，产品需求量越来越大。
35
半导体代工厂中主要进行集成电路设计。
36
半导体产业涉及的知识领域主要是物理学和材料学，与化学无关。
37
目前量产的半导体器件节点尺寸是（）？
38
以下半导体产线上最昂贵的设备是（）？
39
在CMOS工艺中，通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备。
40
逻辑电路的基本元件是MOS管。
41
集成电路中只能制造二极管和三极管，而无法制造电阻。
42
利用氢氟酸蚀刻SiO2薄膜具有各向异性。
43
利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
44
通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高。
45
以下哪种材料无法通过分子束外延生长法制备？
46
以下哪种不属于化学气相沉积法
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化学气相沉积法的反应原料是气体，反应物是固体，副产物也可以是固体
48
化学气相沉积法和物理气相沉积法最主要的区别在于前者需要在真空环境下进行。
49
12英寸硅晶片是指硅晶片的（）是12英寸。
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利用液封直拉法得到的晶锭可以直接切割成晶片。
51
以下晶体硅生长过程中的产物中哪种是单晶体？
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通常TEM观测的分辨率要高于SEM。
53
SEM观测的主要原理是搜集入射电子激发的二次电子进行逐点成像的。
54
表面不导电的样品无法用SEM进行观测。
55
TME可观测厚度1微米以上的样品。
56
AFM的探针针尖与样品表面直接接触，所以测量时会损伤样品。
57
AFM可观测样品内部形貌特征。
58
以下哪种检测方式的激发源不是X射线？
59
EDX通常是加装在SEM中配合使用的。
60
以下常用来检测样品表面晶体结构的方法是（）？
61
业界常用SIMS作为半导体掺杂浓度分布的检测方式。
62
MBE只能用于III-V族化合物的生长。
63
提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
64
在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是：（）
65
光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（）的情况。
66
通常利用TEM观测的分辨率高于SEM。
67
TEM观测与SEM相同，对样品厚度没有要求。
68
AFM通常用来观测样品表面形貌。
69
XPS只能检测元素种类，无法标定元素含量。
70
异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体相互接触而形成的
71
光电探测器的灵敏度主要取决于其禁带宽度大小
72
MOS管是一种电流型半导体器件，BJT是一种电压型半导体器件
73
所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体
74
平衡态下在pn结中p区和n区的费米能级是相等的
75
一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的__达到了14nm量级
76
当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时，其_的pn结上的电压方向是反向偏置的
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MOSFET开关的基本工作原理是通过_极电压来控制_极和__极之间的导电沟道的通断
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金属和n型半导体接触，如果fmfs，会形成肖特基接触；其中接触具有整流效应。
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AlAs的禁带宽度比GaAs大，晶格常数也更大。保存
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半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法
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PMOS的基底是p型半导体，所以叫PMOS。
82
半导体镀膜通常在真空中进行是为了减少杂质沉积的干扰。
83
硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。
84
GaAs晶体是_结构
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有A和B两种单质晶体，我们知道A的晶格常数是5?，带隙是12eV，B的晶格常数是4?，其带隙有可能是_____eV
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如下图所示的能带结构，代表的是＿＿＿半导体＿＿＿＿＿＿＿＿ EC―――――――― EF＿＿＿＿＿＿＿＿ EV
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智慧树知到《半导体技术导论》章节测试答案