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栅极

1在一定阳极电压的作用下，若栅极（），电子就难以越过栅极而达到阳极，阳极电流就越小。
2转动自耦调压器的手柄，可改变栅极控制电流的幅度，从而改变电子管的起燃点，调节整流输出电压。
3根据真空三极管的特性曲线可以看出，改变栅极电流就可使阳极电流发生变化。
4电子枪由（）组成
5IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）。
6绝缘栅双极晶体管（IGBT）的导通由（）之间的电压控制。
7MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。
8一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的__达到了14nm量级
9在MOS门电路中，欲使PMOS管导通可靠，栅极所加电压应（）开启电压(UTP0)。
10利用MOS管栅极电容对电荷的暂存作用存储信息的为（）RAM。
11晶闸管导通的条件是（）。
12能够控制半导体三极管开（截止）关（饱和）状态的是（）。
13IGBT的3个电极是：集电极、发射极和（）。
14实际晶体管等效电路相比本征部分，多出的部分不包括（）。
15固定分压式共源放大电路中的栅极电阻RG一般阻值很大，目的是（）。
16N沟道增强型电力MOSFET，引出3个极，分别为G－－栅极、D－－漏极、S－－源极。
17场效应管栅极几乎不取电；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
18MOSFET放大电路的三种组态中只有共栅极电路有功率放大作用。（）
19场效应管放大电路中，栅极输入，漏极输出，为共源极电路（）
20下列不属于三极管构成的放大电路是（）？
21场效应管具有共栅极放大电路、共源极放大电路及共漏极放大电路三种组态。
22门极又称栅极也可以叫控制级。（）
23示波器里的电子束是由电子枪中的（）产生的。
24晶闸管的三个引出电极分别是（）
25IGBT的电极G叫做（）。
26IGBT的电极分别是（）、（）、（）。
27绝缘栅场效晶体管的栅极为什么不能开路？
28晶闸管的三个引出电极分别是（）。
29分压式电路中的栅极电子RG一般阻值很大，目的是（）。
30能够放大电压，有能够放大电流的场效应管放大电路是（）。
31电压放大增益小于1，约等于1的放大电路是（）。
32绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由来控制。
33A是可控硅的（）
34场效应管三个电极中，用G表示的电极称为（）。
35MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大。（）
36MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。（）
37增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（）。
38场效应管和双极型晶体管相比较，以下属于场效应管的特点的是（）。
39要使绝缘栅双极型晶体管导通，正确的做法（）
40为了防止栅极击穿，要求一切测试仪器、电路本身、电烙铁都必须良好接地。
41SRAM是利用MOS管栅极电容存储电荷效应的半导体存储器。（）
42CMOS传输门之所以可以双向输入，是因为（）。
43NPN型场效应管的三个引脚分别是指（）
44电子枪是透射电镜照明系统中的关键组成，目前常用的电子枪是热阴极三级电子枪，主要包括、和阳极。
45电子枪的组成包括
46全控型器件可以通过对（）的控制使其关断
47电力场效应管的三个电极分别为源极、漏极和栅极。（）
48利用MOS管栅极电容对电荷的暂存作用来存储信息的为（）RAM。
49场效应管放大电路中，栅极输入，漏极输出，为共源极电路
50下列关于MOS版图说法不正确的是（）
51静态MOS存储元、动态MOS存储元、双极型存储元各有什么特点？
52对采用MOS管栅极电容存储电荷来暂存信息的动态存储器而言，存储器两遍刷新之间所允许的最长时间间隔通常约为
53晶闸管有三个电极，分别是（），（）和门极或栅极
54普通示波管的电子枪由（）组成。
55IGBT的主要参数及含义
56电力场效应晶体管有三个引脚，分别为（）、（）、（）。
57功率场效应晶体管特点是（）的静态内阻高，驱动功耗小
58IGBT是一种新型复合器件，它的栅极具有（）器件的电压控制特性，而它的输出极（C、E）具有GTR器件的导通压降低的特点。
59彩电显像管栅极、阴极与所加图象信号极性之间的关系是（）
60M0SFET是半导体场效晶体管的缩写，具有栅极、源极、基极。
61N沟道MOSFET的关断条件是，在栅极和源极之间施加一个V左右的向电压。
62MOS阈值电压就是将栅极下面的Si表面变为强反型层（从P型Si变成N型Si或者n型变成p型）所必要的电压，即需要在满足氧化硅层上的电压降基础上补偿p-n型两者费米能级之差，除此之外，影响阈值电压的因素有（）。
63MOS管，可近似为由两个背靠背的pn结（漏极和衬底基极间的pn结、源极和衬底基极间的pn结）和一个电容器（栅极和栅氧化层和紧邻的衬底部分形成的电容）组成。其中控制导电沟道的核心是（）。
64在共源极、共漏极、共栅极三种放大电路中，（）的输出与输入的相位关系是反相的。
65以下哪些电力电子器件属于新型的全控型器件？
66晶体三极管基本放大电路三种接法分别为共发射极、共基极和（）。
67在深亚微米微光刻工艺中，如果要得到小尺寸的栅极或CD，需要的是（）
68对比三极管与场效应管，叙述错误的是（）
69MOS传输门的控制端为晶体管的（），输入和输出端为晶体管的（）和（）。
70为了减小栅极和源极区的串联电阻，通常在器件各区域完成后增加一道硅化工艺以降低接触电阻，以下不是硅化材料的是（）。
71场效应管放大电路中，栅极的电流一定为零。
72什么是IGBT的擎住效应？如何避免？
73场效应管放大电路常用的偏置电路有自给栅极偏置电压和分压式偏置电压。
74在MOS门电路中，欲使PMOS管导通可靠，栅极所加电压应（）开启电压（）。
75采用那种（）放大电路具有倒相作用。
76调节示波器的“辉度”旋钮，是改变CRT的（）电压。
77光驰OTFC镀膜机离子源有（）片栅极片。
78（）电压偏高，容易引起显象管内打火。
79场效应管的三个电极分别是（）、源极和栅极。
80IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）
81显像管内部结构中，发射电子束的是（）。
82在彩色显像管中起分色作用的结构是（）。
83显像管的内部包含有（）。
84黑白显像管的第二、四阳极与（）组成电子透镜，使电子束在轰击荧光屏之前聚焦。
85解释电子枪。
86场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值越大，场效应管的控制能力越强。
87场效应晶体管的三个基本电极是：
88双极型三极管的三个基本电极是：
89电子三极管的三个基本电极是：
90若将器件上起控制作用的电极按输入阻抗由低到高排列，则可以是：
91关于场效应晶体管放大器的放大作用，以下说法正确的是：
92关于电子三极管放大器的放大作用，以下说法正确的是：
93工作在HF频段的电子管线性放大器多采用共栅极电路形式。这种电路的优点是：
94离子推力器栅极间距缩小会导致（）
95离子推力器栅极系统采用的最大加速电压约（）
96离子推力器栅极腐蚀后最直接的影响是（）
97三种电推进中，结构最简单、无加速栅极的是（）
98关于电容充放电式X线机的描述，正确的是（）
99真空管为何能传输无线电波？