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利用氢氟酸蚀刻SiO2薄膜具有各向异性。

利用氢氟酸蚀刻SiO2薄膜具有各向异性。
A.正确
B.错误
正确答案：B

标签：半导体技术导论各向异性氢氟酸

上一条：集成电路中只能制造二极管和三极管，而无法制造电阻。

下一条：利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。