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利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中,掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中,掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
A.正确
B.错误
正确答案:A
标签:
半导体技术导论
光刻
基底
上一条:
利用氢氟酸蚀刻SiO2薄膜具有各向异性。
下一条:
通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高。