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PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。

PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。
A.正确
B.错误
正确答案：错误

标签：半导体器件原理与仿真设计电荷电容

上一条：pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（）。

下一条：PN结雪崩效应和隧道效应引起的击穿统称为电击穿。