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PN结雪崩效应和隧道效应引起的击穿统称为电击穿。

PN结雪崩效应和隧道效应引起的击穿统称为电击穿。
A.正确
B.错误
正确答案：正确

标签：半导体器件原理与仿真设计效应统称

上一条：PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。

下一条：考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。