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以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是()
以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是()
A.是直拉硅中浓度最高的杂质
B.主要来源于坩埚的污染
C.对于硅晶体而言完全是有害杂质,需要去除
D.过饱和会形成氧沉淀,影响硅晶体的电学性质
正确答案:对于硅晶体而言完全是有害杂质,需要去除
标签:
半导体材料
杂质
晶体
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以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是()
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以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是()