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一扩散,采取两歩工艺:预淀积温度高(1200℃)时间长(50min),再分布温度低(970℃)时间短(30min),杂质近似为服从高斯分布。
一扩散,采取两歩工艺:预淀积温度高(1200℃)时间长(50min),再分布温度低(970℃)时间短(30min),杂质近似为服从高斯分布。
A.正确
B.错误
正确答案:错误
标签:
微电子工艺
积温
杂质
上一条:
扩散系数在何时不可以看成是常数:
下一条:
在p-Si中扩磷13分钟,测得结深为0.5μm,为使结深达到1.5μm,在原条件下还要扩分钟。(只保留整数)