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微电子工艺

1在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60o可知硅片是什么晶向？
2磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为035，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：
3关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确？
4在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭
5拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的（）造成。
6VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
7在VPEMBESEGLPESPEUHV/CVDMOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？
8如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
9外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长（）薄膜。
10VPE制备n-/n+-Si用硅烷为源，硅烷是在（）完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面n-/n+Si界面
11通常掩膜氧化采用的工艺方法为：
12关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
13制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
14热氧化速率快慢排序：氧化最快、氧化次之、氧化最慢。（从干氧、湿氧、水汽中选择填空，中间用、隔开）
15热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质（）引起的。（两个字）
16扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸，这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
17扩散系数在何时不可以看成是常数：
18一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。
19在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为05μm，为使结深达到15μm，在原条件下还要扩分钟。（只保留整数）
20在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。
21形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？
22关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确：
23离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。
24在p-Si中扩磷20分钟，测得结深为05μm，为使结深达到08μm，在原条件下还要扩散多长时间？
25在已扩散结深达08μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚02μm时，结深是多少？(湿氧速率很快,短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)
26在Si中注入B+，能量为30KeV，剂量是10的12次方离子/cm2，查表可知Rp≈011μm，ΔRp=0032μm，峰值浓度是125*10的16次方原子/cm3
27锑在硅中的最大固溶度只有5*10的19次方原子/cm3，但某芯片埋层掺杂要求掺入锑最大浓度应达5*10的20次方原子/cm3，因此，采用（）掺杂。
28LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：kshg，此时淀积速率的特点为：
29poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的？
30关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？
31等离子体是物质的一种热平衡存在形态。
32CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有：扩散；；表面迁移。（三个字）
33为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：
34从两电极面积判断射频溅射时，靶放在那个电极上、衬底放在那个电极上？
35溅射与蒸镀比较，下列那种说法正确：
36薄膜应力与测量时的温度有关。
37铝的蒸发温度是1250℃，这时它的平衡蒸汽压是（）Pa。（精确到小数点后两位）
38光刻工艺是按照下列哪种流程顺序进行操作？
39下列有关曝光的描述正确的是：
40关于光学光刻，下列哪种方法可以获得高分辨率？
41正胶的感光区域在显影时不溶解，负胶的感光区域在显影时溶解。
42IC芯片的横向结构是通过（）工艺实现的。（填2个字）
43微电子工艺一般是指（）工艺。