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锑在硅中的最大固溶度只有5*10的19次方原子/cm3,但某芯片埋层掺杂要求掺入锑最大浓度应达5*10的20次方原子/cm3,因此,采用()掺杂。
锑在硅中的最大固溶度只有5*10的19次方原子/cm3,但某芯片埋层掺杂要求掺入锑最大浓度应达5*10的20次方原子/cm3,因此,采用()掺杂。
正确答案:离子注入
标签:
微电子工艺
次方
原子
上一条:
在Si中注入B+,能量为30KeV,剂量是10的12次方离子/cm2,查表可知Rp≈0.11μm,ΔRp=0.032μm,峰值浓度是1.25*10的16次方原子/cm3
下一条:
LPCVD-SiO2,将工艺控制在较高温度,有:kshg,此时淀积速率的特点为: