为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：

为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：
A.磁控溅射
B.反应溅射
C.电阻蒸镀
D.LPCVD
E.射频溅射
F.PECVD
正确答案：磁控溅射；射频溅射