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对采用MOS管栅极电容存储电荷来暂存信息的动态存储器而言,存储器两遍刷新之间所允许的最长时间间隔通常约为
对采用MOS管栅极电容存储电荷来暂存信息的动态存储器而言,存储器两遍刷新之间所允许的最长时间间隔通常约为
A.8ms
B.5ms
C.10ms
D.2ms
正确答案:D
标签:
计算机组成与系统结构
存储器
栅极
上一条:
在调相制方式中
下一条:
若十六进制数为D5.6,则相应的二进制数为