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联大学堂
在光电转换过程中,硅材料一般不如GaAs量子效率高,其因是()
在光电转换过程中,硅材料一般不如GaAs量子效率高,其因是()
A.禁带较窄
B.禁带是间接型跃迁
C.禁带较宽
D.禁带较宽
正确答案:A
标签:
半导体物理学
量子
光电
上一条:
如果在神州十号太空实验室里,生长的GaAs具有很高的载流子迁移率,这是因为()的缘故。
下一条:
GaAs的导带极值位于布里渊区()