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联大学堂
如果在神州十号太空实验室里,生长的GaAs具有很高的载流子迁移率,这是因为()的缘故。
如果在神州十号太空实验室里,生长的GaAs具有很高的载流子迁移率,这是因为()的缘故。
A.无杂质污染
B.受较强的宇宙射线照射
C.晶体生长完整性好
D.化学配比合理
正确答案:C
标签:
半导体物理学
载流子
宇宙射线
上一条:
受主杂质电离后向半导体提供(),施主杂质电离后向半导体提供(),本征激发向半导体提供()。
下一条:
在光电转换过程中,硅材料一般不如GaAs量子效率高,其因是()