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在硅片中刻蚀出浅槽并在浅槽中淀积氧化物材料起到器件隔离的技术称为STI技术。()
在硅片中刻蚀出浅槽并在浅槽中淀积氧化物材料起到器件隔离的技术称为STI技术。()
正确答案:正确
标签:
硅片
技术
氧化物
上一条:
局部氧化工艺的缺点是会形成鸟嘴,造成场氧区对有源区的侵蚀,从而使有源区之间的距离增加。()
下一条:
栅氧化层通常采用湿氧氧化的方式进行生长。()