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晶体管

101晶体管主要作用是不失真地放大电压信号，为保证这一点，选择一个合适的静态工作点非常重要。
102当温度升高时，晶体管导通电压增加。
103在分析晶体管放大电路时，通常先估算静态工作点和rbe，然后用小信号等效电路法进行交流分析。
104晶体管画交流通路的关键之一是将电容断路。
105晶体管画直流通路的关键是：(1)将大电容视为短路；(2)直流电压源视为短路。
106输出功率为10W的乙类OCL电路，所选用晶体管的额定管耗至少为（）W。
107共射极放大电路空载时输出电压有截止失真，在输入信号不变的情况下经耦合电容接上负载电阻时，失真消失，这是由于（）。
108OTL电路负载电阻RＬ=10Ω，电源电压VCC=10Ｖ，略去晶体管的饱和压降，其最大不失真输出功率为（）Ｗ。
109当工作频率高于特征频率时，晶体管将失去电流放大能力。
110将晶体管混合p形等效电路中的结电容开路，即可得到晶体管的低频小信号等效电路。
111由晶体管混合p形等效电路可以看出晶体管存在内部反馈。
112晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。
113基本放大电路中，经过晶体管的信号有（）。
114晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。
115下列电力电子元器件中，开关频率最高的是（）。
116下列电力电子元器件中，属于电压控制型的器件是（）。
117IGBT是（）的简称。
118GTR是指（）。
119用NPN型晶体管输出型的PLC控制ATV312变频器实现电动机多段速度运行时，应将变频器接成（）。
120晶体管输出型PLC只能控制24VDC×300mA低压直流回路，驱动电流较小，但动作频率高，寿命长。
121晶体管输出的FX3U和H2U系列PLC基本单元均内置最多3轴的定位控制功能。具有这项功能的输出点为Y0～Y2。
122输出功率为10W的甲乙类OCL电路，所选用晶体管的额定管耗至少为（）W。
123?OTL电路负载电阻RＬ=10Ω，电源电压VCC=10Ｖ，忽略晶体管的饱和压降，其最大不失真输出功率为（）Ｗ。
124下面哪个说法是正确的？
125我国的计算机起步较晚，为国防科技作出了重大贡献并被誉为“功勋计算机”是（）
126PLC的输出方式为晶体管型时，它适用于哪种负载？
127PLC为晶体管输出时适用于哪种负载（）？
128为适应不同负载需要，PLC输出有三种类型的接口，分别是晶体管型、继电器型和晶闸管型。
129PLC为晶体管输出时，其3M必须与变频器的GND短接，否则，PLC不能形成回路。
130乔布斯发明了iphone后，从此进入（）时代
131用逻辑门描述一个全加器，是属于那个设计层次：
132双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括（）。
133平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（）。
134双极型晶体管大注入时，将引起基区电导（）。
135双极型晶体管的发射极和集电极是等效的，使用时可以互换不会影响晶体管的放大作用。
136双极型晶体管工作在线性区时可做开关使用，工作在饱和区时可做放大使用。
137双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。（）
138漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。
139双极型晶体管做共发射极连接使用时，Early效应能有效调节集电极电流大小，使晶体管工作稳定。（）
140以npn晶体管为例，ic与inc相比，相位（），幅度（）。
141以下影响晶体管共基极电流放大系数截止频率的时间常数是（）。
142以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。
143双极型晶体管的集电极延迟时间是由集电结扩散电容的充放电引起的。（）
144晶体管工作频率达到fT值时功率增益为1，达到fMAX时仅能维持振荡。（）
145推导晶体管的小信号等效电路时，首先将其等效为（）端口网络
146本征晶体管的T形等效电路也称为（）参数等效电路（）。
147晶体管的工作频率增加一倍，则功率增益（）。
148晶体管等效电路中，gmUbe表示晶体管放大作用的等效电流源。其中gm是跨导，表示晶体管放大能力。（）
149晶体管等效电路通常的表示方法是混合Π型参数等效电路，属于物理模型等效电路。（）
150晶体管的发射结电阻是常数。
151考虑基区宽度调制效应，在本征晶体管的T形等效电路中加入并联于电流源的电阻rc。
152晶体管工作频率达到fT值时功率增益为1，达到fMAX时仅能维持振荡。
153共发射极连接的晶体管最大功率增益考察的是晶体管的最高振荡频率，和特征频率无关。
154增益-带宽积标志着晶体管的放大能力。
155晶体管具有放大能力的极限频率为特征频率，超过这一频率值晶体管不能实现电压放大。
156第二代电子计算机使用的电子器件是（）。
157第一台电子计算机的电子逻辑元件是（）。
158第二代计算机有用的器件是（）。
159GTO是一种全控型器件，其全称是什么？
160IGBT是一种全控型器件，其全称是什么？
161场效应管与晶体管类似，可以替换使用。
162关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是：
163电力晶体管也称为GTR，与普通的双极结型晶体管相比，耐压低但电流大。
164电力场效应晶体管的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流不利。
165绝缘栅双极晶体管输出特性分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。
166高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是（）
167晶体管能够放大的外部条件是（）。
168晶体管的输出特性曲线可以分为截止区、放大区、饱和区，在模拟电子电路中，要实现放大，晶体管应工作在（）区。
169测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.04mA.2mA和2.04mA。则该管的β为（）。
170在分压偏置共射放大电路Q点的估算分析中，应该从晶体管的B.C.E的哪一点开始进行电压的估算？（）
171晶体管的混合π型是晶体管的低频模型。
172如果功率放大电路中晶体管导通角大于180°，而小于360°，则管子工作在（）类放大状态。
173下面关于集成电路（IC）的叙述中，错误的是（）。
174下面的叙述中错误的是（）。
175目前，个人计算机使用的电子元器件主要是（）
176在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V、4V、3.4V，则这三个极分别为（）。
177前置放大器的三种类型中，属于双极型晶体管放大器的主要特点是（）
178测得晶体管3个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA，则该管的β为（）
179已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）
180测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。则该管的β为（）
181在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用（）构建放大电路可获得更好的放大效果。
182当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）
183晶体管的工作区域有（）个？
184当晶体管工作在放大区时，需满足发射结（），集电结（）。
185处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）
186晶体管工作在饱和区的条件是：发射结正偏，集电结正偏。
187由晶体管构成的三种接法放大电路中，输入电压与输出电压反相的是（）。
188由晶体管构成的三种接法放大电路中，输入电阻最大的是（）。
189由晶体管构成的三种接法放大电路中，频带最宽的是（）。
190由晶体管构成的三种接法放大电路中，输出电阻最小的是（）。
191场效管放大电路的放大能力没有晶体管放大电路的强。（）
192场效管放大电路的输入电阻比晶体管放大电路的大。（）
193晶体管是电流控制电流型器件。（）
194晶体管里多子和少子均参与导电，而场效应管主要是多子导电。（）
195制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
196第一台电子计算机使用的逻辑部件是（）。
197在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别是6V，1.2V，1V，则该管为（）。
198在晶体管放大电路中，若测得某晶体管的三个极的电位分别为9V，2.5V，3.2V，则这三个极分别为（）。
199晶体管工作在饱和状态时，（）。
200某场效晶体管当UDS0、UGS0时可导通，则此场效晶体管为（）。
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