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半导体

101当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个（）。
102半导体二极管的最重要的特点是具有（）。
103第二代计算机的内存储器为（）。
104哪种材料的霍尔效应更显著（）
105利用霍尔效应可以判断半导体类型。
106霍尔元件一般采用（）材料。
107半导体数码显示器的工作电流大，约10mA左右，因此，需要考虑电流驱动能力问题。
108本征半导体不带电，P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）
109半导体三极管是一种电流控制电流的器件。
110Flash存储器是一种（）存储器。
111制作N型半导体需要在本征半导体中掺入微量的五价元素。
112制作P型半导体需要在本征半导体中掺入微量的五价元素。
113晶闸管内部是（）。
114半导体中有两种载流子。
115载流子跃迁前后在（）所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh)相同的能隙类型称为直接能隙，相应的半导体称为直接能隙半导体。
116载流子跃迁前后在（）所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙，相应的半导体称为间接能隙半导体。
117在纯Si中掺入下列（）元素，Si将变为n型半导体。
118在纯Ge中掺入下列（）元素，Ge将变为p型半导体。
119根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为（）
120对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）
121对于掺杂浓度相同的下列半导体，工作温度最高的为（）
122对于GaAs半导体材料，小注入时样品在（）中寿命最大。
123对于某均匀掺杂的半导体，若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时，多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反，则该半导体的掺杂类型为（）。
124半导体中载流子的电输运包括（）。
125考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将（）
126已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高k0T，则该p型半导体为（）半导体。
127金属与N型半导体形成阻挡层，满足（）
128金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，则半导体表面电子势垒高度将（）
129N型半导体形成的肖特基势垒二极管，其正向电流是（）。
130欧姆接触有哪些实现的方式（）
131半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。
132由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时，已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度，则可能的原因有（）。
133半导体的导电能力弱于导体，并且温度升高，其导电能力和金属一样会减弱。
134半导体导电的原理是空穴导电而非导带中电子的定向移动。
135半导体的导电能力弱于导体，但温度升高，其导电能力增强。
136双向晶闸管是一种由（）层半导体、个PN结组成的（）端器件。
137硅的晶格结构是（），按能带结构划分属于（）。
138根据敏感元件材料的不同，应变计可分为金属式和半导体式两大类。
139下列哪些是半导体应变计的主要优点（）
140半导体应变计具有较小的非线性，输出信号较强，故抗干扰能力较好。
141半导体应变片具有（）等优点。
142气敏传感器使用（）材料。
143热敏电阻是利用（）材料的电阻率随温度的变化而变化的性质制成的。（）
144热敏电阻是利用（）材料的电阻率随温度的变化而变化的性质制成的。
145霍尔传感器一般采用（）材料。
146陶瓷材料中电子电导比较显著的主要是（）。
147在低掺杂半导体中，μ随T升高而大幅度下降；在高掺杂时，迁移率随温度变化较小。
148掺入受主杂质的半导体称为p型半导体，杂质能级离导带很近。
149掺入施主杂质的半导体称为n型半导体，杂质能级离价带很近。
150FeO在氧化气氛下，形成n型半导体。
151含钛瓷在还原气氛下，将形成p型半导体。
152对于价控型半导体，可以通过改变（），获得不同的电性能。
153如下所述，门极可关断晶闸管GTO半导体结构是：
154GTO与普通晶闸管都是PNPN四层半导体结构，引出3个极。
155半导体应变片的工作原理是（）效应
156与金属箔式应变片相比，半导体应变片的最大优点是（）
157在本征半导体中加入三价元素可形成（）型半导体。
158AT89S51单片机采用的半导体工艺是（）。
159NiO为p型半导体。
160根据TRIZ理论中关于专利等级的划分，半导体的发现属于（）级别。
161对于半导体而言，其正确的说法是（）。
162法布里-玻罗腔型半导体激光放大器的带宽（）行波型半导体光放大器的带宽。
163在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体（）
164半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）
165在纯净的半导体中掺了杂质后，其导电能力大大增强。
166在半导体内部，只有电子是载流子
167半导体Si中掺入少量的（）等可成为n型半导体，其结合键处被价电子填满后仍有部分富余的价电子。
168以下几种材料为宽禁带半导体的是（）
169半导体照明的应用主要利用了半导体的什么特性（）
170以下对于半导体的描述错误的是（）
171半导体的导电特性与金属相同。
172目前生长半导体体单晶最常见的方法是（）
173半导体随机读写存储器中速度比较快的是（）。
174放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。
175在本征半导体中掺入微量五价元素可得到P型杂质半导体。
176下列称为半导体的是（）
177N型半导体，是在本征半导体里加入（）价元素杂质
178半导体具有光敏性。
179本征半导体中，温度升高，电子数会增加，空穴数量不变。
180P型半导体带正电。
181“熊彼特Ⅰ型”创新模式主要发生在半导体业
182断电会使原存信息丢失的存储器是（）。
183在放大电路中，高频段放大倍数降低是由于（）的影响造成的。
184目前全球最大的半导体芯片制造商是（）公司。
185下列哪项不是半导体应变片的优点（）
186肖特基二极管是由金属-半导体组成的，具有超高速，低功耗等优点。
187N型半导体是在本征半导体中掺入（）
188P型半导体是在本征半导体中掺入（）
189本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
190在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。
191（）是以数字化的形式将信息高密度地存储在计算机内，通过磁盘、光盘和半导体芯片等物理载体对信息进行记录、存储与处理。
192（）提出在今后的十几年里，半导体处理器的性能，比如容量、计算速度和复杂程度，每18个月左右可以翻一番。
193产品生产环节洁净度要求高的行业有（）。
194戈登?摩尔提出在今后的十几年里，半导体处理器的性能，比如容量、计算速度和复杂程度，每（）左右可以翻一番。
195根据广东省委、省政府的战略部署，近期优先支持在（）等新兴产业率先取得突破。
196三星半导体之所以成为全世界第一，其发展的第一步是（）。
1971965年英特尔公司创始人之一摩尔先生，提出来在之后的十几年里，半导体处理器的性能，比如容量、计算速度和复杂程度每18个月左右可以翻一番，这被称为（）。
198智慧城市采用的是（）照明路灯。
199云计算是指服务的交付和使用模式，用户通过（）以按需、易扩展的方式获得所需的服务。
200单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV，等效状态密度N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（）。
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