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半导体

601基于霍尔传感器工作原理，霍尔元件材料一般选择
602半导体存储器RAM和ROM的最本质的区别是（）。
603P型半导体又成为空穴半导体。
604本征半导体的导电性能较差。
605自然界中的物体，根据导电性能的不同分为导体、半导体、绝缘体。光伏电池材料属于导体。
606同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，在它们的交界面处形成的特殊区域称为PN结。
607通过功率半导体开关器件的开通和关断，可以形成方波。
608非线性电路中常用的非线性器件有（）
609由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有单向导电性，其中（）极接正，而（）极接负的电压称为反向电压，此时PN结截止。
610在T=0K时，半导体的导带和价带被电子占据的情况是
611N型半导体是在本征半导体中掺人（）价元素。
612杂质的双重作用：改变半导体的电阻率；决定半导体的导电类型。
613碱金属原子在半导体尤其在Si中易扩散，引起器件性能恶化。
614STM32是（）公司出品的一系列微控制器的统称。
615现在医疗卫生机构常用的剂量检测设备不包括（）
616半导体热敏电阻率随着温度上升，电阻率（）
617N型半导体中多数载流子是自由电子，P型半导体中多数载流子是空穴。
618根据以下灵敏度，判断哪个是半导体应变片？（）
619以下四种类型的半导体存储器中，以传输同样多的字为比较条件，则读出数据传输率最高的是（）
620内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器RAM，（）和高速缓存。
621半导体集成电路有不同的分类方法，按照电路处理信号的方式可将集成电路分为：（）、（）、（）。
622在本征半导体中掺入少量（）价元素可以构成P型半导体。（）。
623（）能用来制造半导体。
624在本征半导体中掺入少量（）价元素可以构成N型半导体。（）。
625半导体三极管发射结和集电结均为正向偏置时，晶体管工作在（）。
626半导体三极管发射结和集电结均为反向偏置时，晶体管工作在（）。
627单模光纤的光源采用（）。
628我国目前国产化率比较低，被西方国家遏制的“卡脖子”产业链是3
629基础数字产品及服务严重依赖进口的有：（）
630以下不属于随机存储器"RA、M"的特点是？
631由于P型半导体中含有大量空穴，N型半导体中含有大自由电子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
632杂质半导体分为（）
633在外加电压作用下，P型半导体中主要是（）
634温度升高，本征半导体的载流子数量（）
635N型半导体的多数载流子的数量主要取决于（）
636本实验所需的实验器材有：
637下面的半导体中具有纤锌矿结构的是（）
638半导体内壳层的电子原来处于低能级，共有化运动很弱，其能级分裂很小，能带（）
639通常情况下，下面的半导体中具有闪锌矿结构的是（）
640通常把主要依靠价带中空穴导电的半导体的类型为（）
641目前在实验室中较为常用的应变片有：；①金属丝式应变片②箔式应变片③半导体应变片④应变花
642（）晶体管是在PN接合半导体上，再接合一块P型或N型半导体。
643P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）杂质元素构成的。
644霍尔元件的材料为（）
645TTL类型的半导体芯片，输入端可以悬空，但不建议悬空。
646CMOS结构的半导体芯片，输入端可以悬空
647本征半导体和杂质半导体都呈电中性。
648（）半导体如果受外部刺激，其性质不会发生变化。
649（）半导体是构成电子控制零部件的根底单元。
650（）半导体分为P型、N型和H型。
651（）二极管是P型半导体和N型半导体接合而成的。
652下列哪种不是压电材料（）
653如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以导电为主；如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以导电为主；如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主。
654集成电路是采用半导体制作工艺将各元器件组合成具有一定功能的完整电子电路，在电子路中用“（）”表示。。
655下列关于肖特基二极管和快恢复二极管的说法正确的是（）。
656半导体的分类，按照其制造技术可以分为（）等。
657如果温度升高，半导体的电阻值将（）。
658半导体材料有很多种，按化学成分可分（）。
659P型半导体是在有4个价电子的硅或锗中参加了有（）个价电子的铟元素。
660N型半导体是在有4个价电子的硅或锗中参加了有（）个价电子的砷元素。
6611对半导体言，其正确的说法是（）
662传感器按照其工作原理可以分成电参量式传感器、磁电式传感器、（）、（）、（）等
663N型半导体中的多数载流子为。
664当半导体激光器的工作温度增加时，其输出光功率会随之（）。
665电离的施主杂质带（）电荷。
666在半导体本征吸收过程中，电子由价带跃迁到（）带。
667半导体少数载流子产生的原因是（）
668对于欧姆接触描述正确的是（）
669在本征半导体中掺人（）元素形成N型半导体。
670在本征半导体中掺人（）元素可以形成P型半导体。
671光伏发电技术是利用了半导体的（）效应。
672制造半导体器件的材料是本征半导体。
673P型半导体多子是（），离子是（）
674P型半导体中的受主能级的位置在。
675n型半导体中的施主能级的位置在。
676p型半导体以载流子为主。
677纯元素半导体处于元素周期表的。
678半导体存储器按照存、取功能上的不同可分为和两大类。其中关闭电源或发生断电时，其中的存储的信息代码就会丢失。
679二极管主要由哪个结构组成？（）
680不含杂质的纯净半导体称为（）半导体。
681根据掺入杂质的不同，杂质半导体分为P型半导体和N型半导体，其中P型半导体的多子是（）。
682能产生霍尔效应，用于霍尔传感器的材料是（）
683价带未填满（）
684半导体二极管加正向电压时导通，加（）这一导电特性称为二极管的单向导电性。
685当满足一定频率的光线照射在Si半导体表面时，半导体内部的电子将会脱离（），形成可以自由移动的电子。
686目前光通信领域中发展最快、最为重要的光纤通信光源是（）
687应变片按照其材料的不同可分为：（）和（）。
688半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中的移动。
689N型半导体中的自由电子多于空穴，所以N型半导体带负电。（）
690单片机实际上是集成在一个（）上集成了CPU，RAM，ROM，并行IO口，中断系统等功能部件的微型计算机。
691在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是（）。
692当温度升高时，本征半导体中自由电子和空穴的数量将（）。
693杂质半导体的种类有（）。
694随机存储器RAM的特点是（）
695半导体存储器可以用来存放数据、资料等（）信息。
696目前大部分的微处理器使用的半导体工艺称工艺
697（）产量最多，应用最广
698在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体，加入（）元素可形成P型半导体，PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。
699本征半导体温度升高后两种载流子浓度不相等。
700纯净的半导体叫（）。
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