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集电极

1晶体管的集电极与发射极之间的正反向阻值都应大于（），如果两个方向的阻值都很小，则可能是击穿了
2晶体三极管的结构包括：（）
3晶体三极管的结构包括（）。
4功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和（）
5IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）。
6三极管又称为晶体管，分为NPN和PNP两种，NPN型三极管：（）电位最高，（）电位最低；PNP型三极管：（）电位最高，（）电位最低。
7在放大电路中，若测得晶体管三个极的电位分别为-9V，-62V，-6V，则-62V的那个极为（）。
8绝缘栅双极晶体管（IGBT）的导通由（）之间的电压控制。
9当晶体管的发射结和集电结都反偏时，则三极管的集电极电流将（）。
10当三极管基极电位升高使发射结和集电结都处于（）时，三极管集电极电流Ic受集电极回路最大供电能力的限制，不再与基极电流成比例增长，三极管的c、e极之间相当于开关的闭合状态，这种三极管工作状态叫饱和状态。
11将万用表欧姆档的旋钮置于R×1k位置，使黑表棒与集电极c接触，红表棒与发射极e接触（对于PNP管应将表棒对调）。对于质量较好的三极管，此时测得的阻值应（）。
12共集电极放大电路的输出电压信号与输入信号反相。（）
13如果晶体三极管的集电极电流大于它的最大允许电流，则该管（）。
14关于甲类功率放大器的特点，叙述正确的是：功放管的静态工作点（）。
15OD门的中文含义是集电极开路门电路。
16有人选用最大允许集电极电流ICM＝20mA，最大允许电压UCEO＝20V，集电极最大允许耗散功率PCM＝100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点IC＝15mA，UCE＝10V，则该管应属于下列四种状态中的（）。
17在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（）。
18在脉冲电路中，应选择（）的三极管。
19设计三极管放大电路需要
20当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时，其_的pn结上的电压方向是反向偏置的
21共集电极放大电路具有（）放大作用。
22晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体，所以发射极和集电极可以调换使用。
233DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U(BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得其集电极电流IC=15mA，UCE=10V，则该管（）。
24基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的主要作用是（）。
25（）共集电极放大电路，输入信号与输出信号相位相同。
26测得放大电路中一晶体管的各极对地电位分别为26V，2V，7V，则7V对应的是（）。
27测得放大电路中一晶体管的各极对地电位分别为-1V，-13V，-6V，则-6V对应的是（）。
28单管单调谐高频小信号发生器的集电极负载采用的是LC串联谐振回路（）
29丙类功放导通时间短，集电极功耗小，所以效率高（）。
30要实现集电极调制特性应使功放工作在（）状态
31某丙类谐振功率放大器工作在临界状态，若保持其它参数不变，将集电极直流电源电压增大，则放大器的工作状态将变为（）
32集电极馈电电路可分为串联馈电和并联馈电。（）
33集电极馈电电路的VCC几乎全部加到集电极上。（）
34当温度升高时，BJT集电极电流（）。
35BJT放大电路共有三种组态的放大电路，它们分别是共射极、（）和（）放大电路。
36当OCL电路的最大输出功率为1W时,功放管的集电极最大耗散功率应大于。
37三极管在放大状态时集电极收集发射区扩散过来的电子。
38共射极放大电路中，输入回路与输出回路共同用的通路是集电极。
39在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-67V，V3=-7V，则1脚是（）
40在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-298mA，I2=3mA，I3=-002mA；则1脚是（）
41共集电极放大电路的结构特点是（）
42基本共集电极放大电路的别名有（）
43下列说法中错误的有（）A共集电极放大电路一定属于固定偏流式
44共集电极放大电路的输入电阻较大，输出电阻较小。
45共集电极放大电路的输出电压比输入电压大。
46共集电极放大电路的输出电流比输入电流大。
47下列电路中，（）的输入电阻比较大。
48三种组态电路中，共集电极放大电路的输出电阻最小，故其带负载能力最弱。
49集电极一定不能作为放大电路的输入端。
50如果最后一级不是基本共集电极放大电路，则：无论其他各级的数量和组态如何改变，电路的总输出电阻不变。
51共射组态的BJT放大电路结构特点是（）。
52BJT正常放大时，集电结一定是（）。
53划分BJT输出特性曲线上的安全工作区域，需要考虑的因素有（）。
54下列关于BJT在放大电路中的联接方式的说法中，正确的有（）
55三种组态的放大电路中，共集电极放大电路的输出电阻最小，故其带负载能力最弱。
56集电极的功耗如果超过了最大允许功率损耗，则晶体管的性能将变坏，甚至过热烧坏。
57集电极功耗若超过集电极最大允许功耗，管子性能将变坏，甚至过热烧坏。
58集电极电流若超过最大允许电流，电流放大系数将明显下降，但不一定损坏管子，但若电流过大，则会烧坏管子。
59为使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入（）放大电路。
60共集电极放大电路又称为射极跟随器
61在OTL功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的最大集电极功耗约为（）。
62共发射极放大电路，若集电极信号经隔直耦合电容输出，则断开负载可增大放大电路的下限频率。
63以下电路中可以实现线与功能的有（）
64TTL集电极开路门输出为１时由外接电源和电阻提供输出电流。
65TTLOC门（集电极开路门）的输出端可以直接相连，实现线与。
66三极管放大的条件是（）。
67在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。
68三极管工作在饱和区时，由于集电极电流较大所以也有放大作用。（）
69三极管使用时，集电极和发射极可以混用。（）
70在放大电路中，集电极负载电阻Rc的作用是（）。
71下列几种输出形式的光电编码器中，具有较强抗干扰能力的是（）编码器。
72BJT的集电极电流IC=2mA，电流放大系数β=100，忽略基区体电阻rbb，则BJT的小信号模型参数rbe≈（）kΩ。
73在丙类功率放大器中，若放大器工作在临界状态，如增加集电极偏置电压，放大器将工作在（）状态
74设丙类功率放大电路工作于临界状态：当增大其负载电阻时，集电极电流和输出电压波形顶部均将呈现下凹。
75测量静态工作点时，电路中其他参数不变，升高电源电压，则集电极电压UC如何变化（）
76测量静态工作点时，电路中其他参数不变，增大集电极电阻RC，则基极电压UB如何变化（）
77晶体管发射极和集电极之间的压降约为（）
78测量静态工作点时，电路中其他参数不变，降低电源电压，则集电极电压UC如何变化（）
79测量静态工作点时，电路中其他参数不变，减小上偏置电阻RW1阻值，则集电极电压UC如何变化（）
80测量静态工作点时，电路中其他参数不变，减小集电极电阻RC，则基极电压UB如何变化？
81测量静态工作点时，电路中其他参数不变，减小集电极电阻RC，则集电极电压UC如何变化？
82测量静态工作点时，电路中其他参数不变，减小集电极电阻RC，则发射极电压UE如何变化？
83共射基本放大电路实验时，电路中其他参数不变，减小发射极电阻Re，则集电极电流IC如何变化？
84共射基本放大电路实验时，电路中其他参数不变，增大发射极电阻Re，则集电极电流IC如何变化？
85实验中，测量三极管集电极电位Uc和放大电路的输出电压Uo有何区别？
86测量静态工作点时，电路中其他参数不变，减小集电极电阻RC，则基极电压UB减小。
87测量静态工作点时，电路中其他参数不变，减小集电极电阻RC，则基极电压UB增大。
88测量静态工作点时，电路中其他参数不变，减小集电极电阻RC，则基极电压UB不变。
89少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（）。
90双极型晶体管的集电极延迟时间是由集电结扩散电容的充放电引起的。（）
91为减小BJT集电结势垒区渡越时间，可通过增加集电区掺杂浓度，降低集电极电阻率，减小击穿电压。（）
92为减小BJT集电极延迟时间常数，可通过减小集电极串联电阻和集电极电容。（）
93晶体管发射极电流，集电极电流，集电极电流之间满足（）。
94在晶体管T型等效电路中，高频情况下，集电极电阻远大于集电极势垒电容等效阻抗，因此并联情况下，集电极电阻可以忽略。
95集电极开路的OC门在正常工作时，需要外接上拉电阻和电源。
96TTL集电极开路门输出为１时，通过外接电源和上拉电阻提供高电平输出电流。
97TTLOC门（集电极开路门）的输出端可以直接相连，实现线或。
98常用集电极电流流通角q的大小来划分功放的工作类别，丙类功放（）。（说明：q为半导通角）
99为了有效地实现集电极调幅，调制器必须工作在哪种工作状态（）
100根据高功放的负载特性，由于RL减小，当高功放从临界状态向欠压区变化时（）
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