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少子在晶体管基区停留的平均时间为τb,但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走,因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel()。
少子在晶体管基区停留的平均时间为τb,但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走,因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel()。
A.正确
B.错误
正确答案:错误
标签:
半导体器件原理与仿真设计
少子
集电极
上一条:
由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。
下一条:
硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大()。