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联大学堂

25801起有效复合中心的杂质能级必须位于（）

25802纯净半导体Si中掺Ⅲ族元素的杂质，当杂质电离时在Si晶体的共价键中产生了一个（），这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。

25803已知硅的Eg为1.12eV，则本征吸收的波长限为（）；Ge的Eg为0.67eV，则本征吸收的波长限为（）。

25804有效陷阱中心位置靠近（）

25805光生载流子发生辐射复合时，伴随着（），这就是半导体的（）现象，利用这种现象可制成（）。

25806电子和空穴的俘获系数rn或rp必须满足（）

25807半导体吸收光子后产生光生载流子，在均匀半导体中是（）增加，可制成（）。

25808有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过（）实验来测量。

25809简并半导体一般是（）掺杂半导体，这时（）对载流子的散射作用不可忽略。

25810能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的（），引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的（）的作用。

25811两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能级（）。

25812间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为（）；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为（）。

25813复合中心的作用是（）

25814将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。（）

25815费米能级是半导体中大量电子构成的热力学系统的化学势。（）

25816在稳定不变的光照下，半导体中电子和空穴浓度也是保持恒定不变的。（）

25817半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。

25818掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。（）

25819电子浓度不等于空穴浓度。（）

25820电子在半导体中传输时若发生晶格振动散射，则会发出或者吸收声子，使电子动量发生改变，从而影响到电导率。（）

25821半导体又分为n型半导体和p型半导体。（）

25822温度越高，载流子热运动的平均速度越大。（）

25823砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。（）

25824在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为100%，如果温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为小于50%。（）

25825与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量比半导体的大。（）

25826从能带角度来看，锗、硅属于（）半导体，而砷化稼属于（）半导体，后者有利于光子的吸收和发射。

25827费米分布函数适用于简并的电子系统，波耳兹曼分布函数适用于非简并的电子系统。（）

25828对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。

25829一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，其中非平衡载流子的寿命为τ。若光照忽然停止，经过τ时间后，非平衡载流子全部消失。（）

25830室温下，对于某n型半导体，其费米能级在其本征半导体的费米能级之下。（）

25831在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后，由于电子空穴对的产生率与复合率相等，所以称为热平衡状态，有统一的费米能级。（）

25832无论本征半导体还是杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，由温度和禁带宽度决定。（）

25833通常把服从（）的电子系统称为非简并性系统，服从（）的电子系统称为简并性系统。

25834半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。

25835如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。

25836半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内的（）进行复合。

25837半导体产生光吸收的方式？

25838半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于（）结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成（）和纤锌矿等两种晶格结构。

25839（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。

25840什么是本征半导体？

25841统一的费米能级是热平衡状态的标志。（）

25842半导体导带中的电子浓度取决于什么？

25843反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。

25844简述半导体的导电机构。

25845为什么内壳层电子能带窄，外层电子能带宽？

25846半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有哪两大类？

25847什么是n型半导体？

25848什么是本征激发？

25849为什么点阵间隔越小，能带越宽？

25850简述实际半导体中杂质与缺陷来源。

25857纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。（）

25858金属和半导体接触分为有整流特性的肖特基接触和非整流的欧姆接触。（）

25859氧化硅层在半导体器件中起什么作用？

25860PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流。（）

25861内部原子或分子的排列呈现杂乱无章的分布状态的固体，称为非晶体。（）

25862Ⅲ族元素在硅中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称此类杂质为受主杂质。（）

25863载流子在内电场作用下的运动称为漂移运动，由此引起的电流称为漂移电流。（）

25864费米能级难以移动的现象，称为高能度隙态的钉扎效应。（）

25865陷阱效应是指非平衡载流子落入位于禁带中的杂质或缺陷能级。（）

25866热电效应是电流引起的可逆热效应和温差引起的电效应的总称。（）

25867什么是施主杂质？

25868能级杂质在半导体复合中所起的作用。

25869阐述影响本征半导体载流子浓度的主要因素。

25870在半导体中掺入杂质的作用是什么？

25871本征半导体的特征是什么？

25872简述肖特基缺陷和弗伦克尔缺陷的不同之处。

25873为什么在半导体掺杂中，杂质会产生多个能级？

25874Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的基本性质。

25875为什么在半导体中空穴迁移率一般比电子迁移率低？

25876影响表面复合的因素有哪些？

25877元素半导体中的缺陷、原子空位起什么作用？间隙起什么作用？

25878为什么器件正常工作大多在饱和电离区？

25879半导体中载流子的散射机构有哪几种？

25880影响固溶体形成的因素有哪些？

25881Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶体结构有哪些？

25882热平衡时载流子浓度由哪些因素决定？

25883阐述深能级杂质的特点。

25884阐述GaAs的应用？

25885非晶半导体中载流子的输运机制是怎样的？

25886为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作？

25887影响迁移率的主要因素有哪些？

25888相对于Si材料，GaAs具有哪些缺点？

25889联大学堂《电子商务技术基础（河南财经政法大学）》题库及答案

25890IP协议工作在OSI参考模型的哪一层（）

25891哪类IP地址的主机号是8位（）

25892查看某主机的IP地址可用下列的哪个命令（）

25893Ping命令是下列哪个协议的应用（）

25894下列哪一类地址是多播地址（）

25895在OSI参考模型中，网络层的上一层是（）

25896下列不属于帧的组成部分的是（）

25897在OSI参考模型中，数据链路层的上一层是（）

25898目前，因特网的网络层使用的是（）

25899SNMP的中文意思（）

25900C类IP地址的网络位有（）

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