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联大学堂

25701石细胞属于（）组织
25702试述输导组织的类型，并写出各类型特点
25703如何区别腺毛和非腺毛？
25704杨树茎的伸长与加粗在发生部位与程度上和玉米茎有何不同？各与那些组织的活动有关？
25705试述单子叶植物茎初生构造的主要特征。
25706为什么说被子植物比裸子植物更进化
25707西瓜的主要可食部分是
25708我国第一部药物学专著是东汉时期的
25709在形态上如何区别纤维和石细胞
25710什么是气孔轴式？双子叶植物气孔的轴式有哪几种类型
25711向日葵茎中输导水份的细胞是
25712百合科与石蒜科很相似，异同点有哪些？并写出代表植物2―4种
25713那些形态特征表明菊科比毛茛科进化？
25714枸杞属属属科
25715质体可分为三种，分别是有色体、白色体
25716双子叶植物与单子叶植物有何区别
25717荔枝的的可入
25718比较初生壁与次生壁在结构与功能上的异同
25719比较厚角组织与厚壁组织在结构与功能上的异同
25720草莓的主要可食部分是（）
25721种子可分为（）和（）两种
25722党参是（）科的植物
25723联大学堂《半导体物理学（周口师范学院）》题库及答案
25724对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。
25725对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）。
25726将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（）杂质作用。
25727对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。
25728当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。
25729在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）
25730在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
25731将Si掺杂入GaAs中，若Si取代As则起（）杂质作用。
25732在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。
25733如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（）。
25734MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。
25735锗的晶格结构和能带结构分别是（）。
25736公式*q/m中的τ是半导体载流子的（）。
25737有效复合中心的能级必靠近（）。
25738本征半导体是指（）的半导体。
25739砷化稼的能带结构是（）能隙结构。
25740对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
25741对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（）。
25742与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。
25743空穴是（）。
25744导带底的电子是（）。
25745金属和半导体接触分为：（）。
25746Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（）
25747半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于（）
25748一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。
25749砷有效的陷阱中心位置（）
25750杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。
25751载流子在电场作用下的运动为（）。
25752最有效的复合中心能级位置在（）附近。
25753最有利陷阱作用的能级位置在（）附近
25754电子在晶体中的共有化运动时指（）
25755与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）。
25756下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（）。
25757自补偿效应的起因是（）
25758在P型半导体中（）
25759当PN结外加反向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为（）。
25760PN结击穿主要有下列哪三种物理机制（）
25761重空穴是指（）
25762在n型半导体中（）
25763当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。
25764一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态基本上（），而能量小于费米能级的量子态基本上为（），而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是（），所以费米能级的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。
25765一般半导体它的价带顶位于（），而导带底位于（）。
25766杂质对于半导体导电性能有很大影响，下面哪两种杂质分别掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（）。
25767同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（）。
25768如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。
25769半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。
25770硅导带结构为（）。
25771一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
25772一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于（），而将（）忽略不计。
25773根据费米分布函数，电子占据（EF+KT）能级的几率（）
25774把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。
25775半导体中的载流子扩散系数的大小取决于（）
25776如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主。
25777对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）
25778硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件
25779对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（）
25780某材料的电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是（）
25781欲在掺杂适度的无表面态n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最合适的是（）
25782若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（）
25783GaAs的导带极值位于布里渊区（）
25784在光电转换过程中，硅材料一般不如GaAs量子效率高，其因是（）
25785如果在神州十号太空实验室里，生长的GaAs具有很高的载流子迁移率，这是因为（）的缘故。
25786受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。
25787电子是带（）电的（）；空穴是带（）电的（）粒子。
25788nopo=ni2标志着半导体处于（）状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？（）；当温度变化时，nopo改变否？（）。
25789载流子的漂移运动是由（）引起的。
25790当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（）运动。
25791当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（），并且该乘积和（）有关，而与（）无关。
25792如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）。
25793硅的导带极小值位于布里渊区的（），根据晶体对称性共有（）个等价能谷。
25794半导体中的陷阱中心使其中光电导灵敏度（），并使其光电导衰减规律（）。
25795纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放（）。这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
25796若用氮取代磷化镓中的部分磷，结果是（）；若用砷的话，结果是（）。
25797n型硅掺As后，费米能级向（）移动，在室外温度下进一步升高温度，费米能级向（）移动。
25798PN结电容可分为（）和（）两种。
25799半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。
25800在存在自建电场的半导体中产生（），可制成（）。
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