以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。

以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。
A.采用离子注入工艺降低晶体管的基区宽带Wb
B.降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子
C.减小发射结和集电结面积以减小电容
D.适当降低集电区电阻率和厚度
正确答案：降低基区两端杂质浓度比以提高电场因子