首页
›
答案
›
题库
›
慕课
›
未分类
由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。
由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。
A.集电结势垒电容
B.集电结扩散电容
C.发射结势垒电容
D.发射结扩散电容
正确答案:集电结扩散电容
标签:
半导体器件原理与仿真设计
电容
少子
上一条:
以下措施中,不能提高晶体管截止频率的一项是()。
下一条:
少子在晶体管基区停留的平均时间为τb,但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走,因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel()。