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硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大（）。

硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大（）。
A.正确
B.错误
正确答案：正确

标签：半导体器件原理与仿真设计载流子晶体

上一条：少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（）。

下一条：双极型晶体管的集电极延迟时间是由集电结扩散电容的充放电引起的。（）