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载流子

1半导体内的载流子将受洛仑兹力作用，发生偏转，在与电流平行的方向产生积聚电荷。（）
2场效应管的漏极电流是由的漂移运动形成的。
3电力电子器件按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为（）。
4N型半导体中自由电子是少数载流子。（）
5本征半导体中空穴是多数载流子（）
6在错P结处发生多数载流子扩散运行，少数载流子漂移运动，结果形成了空间电荷区。（）
7在P型半导体中，（）是多数载流子。
8在P型半导体中，（）是少数载流子。
9在N型半导体中，（）是多数载流子。
10在绝对零度（0K）时，本征半导体中（）载流子。
11本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
12当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。
13双极型晶体管的电流是由（）运动形成的。
14三极管的反向电流ICBO是由（）运动产生的。
15半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。
16场效应管仅靠一种载流子导电。
17在N型半导体中参与导电的多数载流子是自由电子。
18在杂质半导体中，多数载流子的数量取决于掺杂浓度。
19向本征半导体内掺入三价元素产生的杂质半导体，（）。
20向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（）。
21杂质半导体内部多数载流子为掺入的杂质，少数载流子为本征激发产生的电子与空穴。
22由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量自由电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
23二极管加正向电压时，其正向电流是由（）。
24二极管两端外加正偏电压时，其正向电流是由（）。
25杂质离子不能移动，因此不是载流子。
26N型半导体的多数载流子是电子。
27P型半导体中的多数载流子是空穴。
28P型半导体中的多数载流子是（）。
29N型半导体的多数载流子是（）。
30FET工作时只有一种载流子参与导电，这就是电子。
31利用霍尔效应不能判断半导体中载流子浓度。
32N型半导体中，多数载流子是（）。
33P型半导体中，多数载流子是（）。
34MOSFET有N沟道和P沟道两种，下面说法错误的是（）。
35MOSFET只有一种载流子参与导电，所以称为单极型三极管。
36霍尔系数K与载流子数密度n成反比。
37将P型和N型半导体制作在一起，则在交界面两边存在着很大的载流子浓度差。
38半导体中有两种载流子。
39光照产生的载流子叫（）载流子。
40热激发产生的载流子叫（）载流子。
41载流子跃迁前后在（）所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh)相同的能隙类型称为直接能隙，相应的半导体称为直接能隙半导体。
42载流子跃迁前后在（）所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙，相应的半导体称为间接能隙半导体。
43杂质能级的作用包括以下（）
44本征载流子浓度随着温度的升高而（）
45对于掺杂浓度一定的Si半导体材料，温度越高，载流子浓度越高。
46半导体中载流子的电输运包括（）。
47肖特基势垒二极管是一种（）载流子器件
48在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中，如半导体为P型，则在半导体的接触面上依次出现的状态为（）。
49“表面电场效应”是指载流子被平行于半导体表面的电场加速的现象。（）
50下列关于复合中心的说法中，错误的是（）。
51考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。
52以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了（）在基区中的运动，该载流子做（）运动。（）
53硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大（）。
54下列说法不正确的是（）。A.通常用电阻率来评定材料的导电性。
55离子晶体NaCl中的载流子为Na+离子和Cl-离子。
56本征电导是指以（）作为载流子的电导。
57掺杂浓度和温度对μ的影响，本质上是对载流子（）的影响。
58对于半导体而言，其正确的说法是（）。
59下列哪项不是LED的工作原理（）
60光调制器的理论依据不包括下列哪项（）
61在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体（）
62在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
63在半导体内部，只有电子是载流子
64双极型三极管是指它内部的参与导电载流子有两种。
65场效应管和三极管均有多子和少子两种载流子参与导电；场效应管和晶体管的温度稳定性和抗辐射能力相差不大。
66为了保证利用电活性掺杂剂准确控制载流子浓度，半导体材料本身必须高纯，没有或尽量少杂质。
67场效应管是单极性载流子参与导电。（）
68本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
69单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV，等效状态密度N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（）。
70电子导电材料中温度对载流子迁移率的影响为：低温下杂质离子对电子的散射起主要作用，高温下声子对电子的散射起主要作用。（）
71温度很低时，声子的自由程很大，当T→0时，λ→∞，问T→0时，对于无限长的晶体，是否成为热超导材料?
72场效应管靠（）种载流子导电
73自由电子和空穴都称为载流子
74P型半导体中的带电粒子是
75N型半导体的多数载流子是（）
76电流产生的条件是导体内有大量可以自由移动的（）和导体两端有（）。
77载流子为电子的半导体类型为（），载流子为空穴的半导体类型为（）
78在本征半导体中加入微量的5价元素，就得到N型半导体，内部载流子数量大大增加，且多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
79在本征半导体中加入微量的3价元素，就得到P型半导体，内部载流子数量大大增加，且多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
80半导体中两种载流子自由电子、空穴。
81半导体中两种载流子（）、（）。
82在本征半导体中加入微量的3价元素，就得到，内部载流子数量大大增加，且多数载流子是，少数载流子是（）。
83当温度升高时，可激发出两种载流子，分别是，（）。
84N型半导体是加入了价元素，多数载流子是。P型半导体是加入了价元素，少数载流子是（）。
85P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。
86P型半导体的多数载流子是（）。
87本征半导体中两种载流子的数量（）。
88场效应三极管是靠（）导电的。
89在场效晶体管中，参与导电的载流子（）。
90N型半导体中的自由电子属于（）载流子。
91P型半导体中的空穴属于（）载流子。
92因为场效应管只有多数载流子参与导电，所以其热稳定性好。
93对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）
94自由电子和空穴分别带负电和正电，它们都称为载流子。（）
95PN结加正向电压时，其正向电流是（）
96杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）
97P型半导体的多数载流子是：
98下列电力电子器件中，只有一种载流子参与导电的是（）。
99半导体内的载流子是（）。
100半导体少数载流子产生的原因是（）。
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