首页
›
答案
›
题库
›
慕课
›
未分类
VPE制备n+/p-Si,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的:
VPE制备n+/p-Si,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的:
A.自掺杂效应
B.互扩散效应
C.衬底表面没清洗干净的缘故。
D.掺杂气体不纯
正确答案:互扩散效应
标签:
微电子工艺
衬底
效应
上一条:
拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的()造成。
下一条:
在VPE.MBE.SEG.LPE.SPE.UHV/CVD.MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层?