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在VPE.MBE.SEG.LPE.SPE.UHV/CVD.MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层?
在VPE.MBE.SEG.LPE.SPE.UHV/CVD.MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层?
A.MBE
B.VPE.LPE
C.UHV/CVD
D.SEG.SPE
正确答案:MBE;UHV/CVD
标签:
微电子工艺
外延
杂质
上一条:
VPE制备n+/p-Si,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的:
下一条:
如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。