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如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。

如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
A.正确
B.错误
正确答案：错误

标签：微电子工艺外延速率

上一条：在VPE.MBE.SEG.LPE.SPE.UHV/CVD.MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？

下一条：外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长（）薄膜。