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通常掩膜氧化采用的工艺方法为：

通常掩膜氧化采用的工艺方法为：
A.掺氯氧化
B.干氧
C.干氧-湿氧-干氧
D.低压氧化
正确答案：干氧-湿氧-干氧

标签：微电子工艺低压工艺

上一条：VPE制备n-/n+-Si用硅烷为源，硅烷是在（）完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面n-/n+Si界面

下一条：关于氧化速率下面哪种描述是正确的：